| 講演名 | 2002/6/24 リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用 孫 雲華, 飯田 倫之, 木本 恒暢, 松波 弘之, |
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| 抄録(和) | リモートプラズマ酸化法を用いてSi表面の直接酸化による極薄SiO_2膜を500～680℃の低温で形成した。MOSキャパシタを作製し、電気的特性を評価した。680℃酸化膜では絶縁破壊電界強度が最高10MV/cmの特性を得た。また、quasi-static C-V法を用いて界面準位密度を評価した。酸化温度を上げることで膜質が改善されることが確認できた。このSiO_2膜をMOSFETのゲート絶縁膜に応用し、その動作特性を評価した。実効移動度の最大値は350cm^2/Vsであった。またgate-contlolled diodeとして特性を測定し、MOSFET作製プロセスを経た後の界面状態を評価した。 |
| 抄録(英) | SiO_2 films have been formed directly on a silicon surface by remote plasma oxidation at low temperatures (500～680℃). We have investigated the electrical properties and Si/SiO_2 interface properties using a quasi-static C-V method. The breakdown electric field exceeded 10 MV/cm. The Si/SiO_2 interface state density and the fixed charge density could be reduced with increasing oxidation temperature. MOSFETs with plasma-oxidized SiO_2 exhibited an effective channel mobility of 350 cm^2/Vs. The interface properties were also characterized by using MOSFETs as gate controlled diodes. |
| キーワード(和) | プラズマ酸化 / quasi-static C-V / MOSFET / gate-controlled diode |
| キーワード(英) | plasma oxidation / quasi-static C-V / MOSFET / gate-controlled diode |
| 資料番号 | ED2002-149 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Ultra-thin Silicon Dioxide Films at Low Temperatures using Remote Plasma Oxidation and Application for Gate Insulators |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ酸化 / plasma oxidation |
| キーワード(2)（和/英） | quasi-static C-V / quasi-static C-V |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | gate-controlled diode / gate-controlled diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 孫 雲華 / Y.H. Sun |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯田 倫之 / T. Iida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / T. Kimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / H. Matsunami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-149 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |