| 講演名 | 2002/6/24 Effect of hydrogen annealing on electrical properties of Bi-layered perovskite thin films , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | It is well known that ferroelectric properties of Pt/SBT and Pt/SBN thin films are degraded due to the Pt catalytic reaction after H_2 annaealing. However, sometimes SBT and SBN film itself may be degraded after the H_2 annaealing. In this work, we have studied interface trap between SBT (or SBN) and Si, effects of bias stress on flat band voltage and asymmetric hystersis shift before and after H_2 annaealing at curie temperature and higher temperature than curie point. As an alternative top electrode, Ir and IrO_2 /SBT (or SBN)/Si structures have been investigated with H_2 annaealing. Also, we will discuss changes in electrical properties after the recovery process. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | hyrogen annealing / Bi-layered perovskite / interface trap / curie temperature |
| 資料番号 | ED2002-148 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of hydrogen annealing on electrical properties of Bi-layered perovskite thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / hyrogen annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Chun Keun Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor Lab. |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-148 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |