| 講演名 | 2002/6/24 CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製 中山 誠, 高橋 健治, 舟窪 浩, 徳光 永輔, |
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| 抄録(和) | Hf原料にHTB(Hf(O_<-t>C_4H_9)_4)を用いてCVD法によりp型Si(100)上にHfO_2薄膜を堆積した。物理膜厚2.5nmのHfO_2薄膜を用いてAl/HfO_2/SiO_2/Si/Ag(MIS)構造の作製しC-V特性を測定したところ、ヒステリシスの小さいC-V曲線が得られ、SiO_2換算膜厚(EOT)1.8nmが得られた。HRTEMによる断面観察では、SiとHfO_2間に1.4nmの界面層の形成が確認された。EOTのHfO_2薄膜の物理膜厚依存性からHfO_2薄膜の比誘電率は19.7、界面層のEOTは1.4nmであった。 |
| 抄録(英) | HfO_2 thin films were deposited on p-type Si (100) substrates by the chemical vapor deposition technique using Hf(O_<-t>C_4H_9)_4 as a source material. Capacitance-voltage (C-V) characteristics of Al/HfO_2/SiO_2/Si/Ag structures had little hysteresis and an SiO_2 equivalent oxide thickness (EOT) of 1.8nm was obtained for the sample with a physical HfO_2 thickness of 2.5 nm. HRTEM image shows the presence of 1 .4 nm interfacial layer. The relative dielectric constant ε_r of the HfO_2 layer and the thickness of the interfacial layer, estimated from the EOT plot as a function of HfO_2 physical thickness, are 19.7 and 1.4nm, respectively. |
| キーワード(和) | CVD / HfO_2 / 高誘電率材料 / ゲート絶縁膜 / HTB |
| キーワード(英) | CVD / HfO_2 / High-k / gate-insulator / HTB |
| 資料番号 | ED2002-147 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of HfO_2 thin films by chemical vapor deposition for gate-insulator applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(2)（和/英） | HfO_2 / HfO_2 |
| キーワード(3)（和/英） | 高誘電率材料 / High-k |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート絶縁膜 / gate-insulator |
| キーワード(5)（和/英） | HTB / HTB |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中山 誠 / Makoto NAKAYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 P&I Lab , Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 健治 / Kenji TAKAHASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 物質科学創造専攻 Dep. Innov. Eng. Mater , Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 舟窪 浩 / Hiroshi FUNAKUBO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 物質科学創造専攻 Dep. Innov. Eng. Mater , Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 徳光 永輔 / Eisuke TOKUMITSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 Res. Inst. Electrical Communication, Tohoku Univ. |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-147 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |