| 講演名 | 2002/6/24 Study of the Thermally Stimulated Current (TSC) characteristics of (Ba,Sr)TiO_3 Thin Films , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In order to clarify the origin of the dielectric relaxation current in (Ba,Sr)TiO_3 thin films, thermally stimulated current(TSC) measurement is adopted combining the conventional current-voltage(I-V) and current-time(I-t) measurements. Two TSC peaks are observed from BST films before post-annealing, and the activation energies of these two traps are 0.20(±0.01)eV and 0.45(±0.02)eV. It is found that these two TSC peaks disappear after subsequent post-annealing in oxygen ambient in contrast to that the peaks drastically increase after the post-annealing in vacuum ambient. From these results, the oxygen vacancy is attributed to the origin of the dielectric relaxation current. Further, TSC characteristics for (Ba,Sr)TiO_3 thin film capacitor with the thermal post-annealing shows the same change in the traps as I-V and I-t characteristics. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | BST / TSC / oxygen vacancy / trap |
| 資料番号 | ED2002-146 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of the Thermally Stimulated Current (TSC) characteristics of (Ba,Sr)TiO_3 Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / BST |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Yong-Ju Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of EECS, Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-146 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |