| 講演名 | 2002/6/24 The Electrical Characteristics of Deep Metal Contact to P+Active in MDL (Merged DRAM and Logic) Interconnection Application , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The electrical characteristics of deep M1C_P+ active resistance with various process conditions are evaluated. The changes of contact resistance were checked for the metal contacts with several contact aspect ratio and different barrier metal structures. We obtained the stable M1C_P+ active resistance, which had 6.7～11.9 contact aspect ratios. We calculated TiSi_2/P+Si interface Schottky barrier height and doping levels of metal contact interface with various barrier metal Ti thicknesses from the interpretation of external voltage dependence of M1C_P+ Kelvin resistance by using the Thermionic-Field emission model. We explained the barrier metal Ti thickness effect to metal contact to P+ active resistance with these results. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SoC / MDL / M1C / Barrier Metal / Ti-Silicide / Thermionic Field Emission Model / Work function / Spreading Resistance / Schottkey Contact / Ohmic contact / Specific Contact Resistance |
| 資料番号 | ED2002-144 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Electrical Characteristics of Deep Metal Contact to P+Active in MDL (Merged DRAM and Logic) Interconnection Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SoC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / JaeHan Cha |
| 第 1 著者 所属（和/英） | SoC Device Development Team, System IC R&D, HYNIX Electronics Industries Co.,Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-144 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |