講演名 2002/6/24
Effect of hexamethyldisilazane on the electrical characteristics of a porous silica thin film
,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英) The effect of hexamethyldisilazane (HMDS) vapor treatment on the leakage current and capacitance of the porous silica thin film having periodic structure were investigated. The leakage current and dielectric constant of the film increased during measurement in the air due to moisture absorption. It is found that the HMDS treatment of the silica film could suppress the increase of leakage current and dielectric constant. The increase of leakage current and dielectric constant could be suppressed by approximately 1/100, and 1/10, respectively.
キーワード(和)
キーワード(英) HMDS / Hexamethyldisilazane / Mesoporous / Porous silica / Low-k
資料番号 ED2002-143
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2002/6/24(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Effect of hexamethyldisilazane on the electrical characteristics of a porous silica thin film
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / HMDS
第 1 著者 氏名(和/英) / S. Sakamoto
第 1 著者 所属(和/英)
Research Center for Nanodevices, Hiroshima University
発表年月日 2002/6/24
資料番号 ED2002-143
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 175
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日