講演名 | 2002/6/24 Formation of Ti-capped NiSi and its Barrier Properties against Cu Diffusion , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | The formation of NiSi with the Ti capping layer to improve the thermal stability and the feasibility for utilizing this Ti-capping layer as a barrier against Cu diffusion were investigated. It was found that the Ti capping layer suppressed the Ni diffusion, and thus the agglomeration of NiSi films and the formation of NiSi_2 phase, leading to the better thermal stability. Furthermore, the Ti-capping or TiN layer inhibited the Cu diffusion. However, NiSi dissociated due to the presence of Cu and then Ni diffused into the Cu layer. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | NiSi / Ti Capping Layer / Thermal Stability / Cu Diffusion Barrier |
資料番号 | ED2002-142 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Formation of Ti-capped NiSi and its Barrier Properties against Cu Diffusion |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / NiSi |
第 1 著者 氏名(和/英) | / Soo-Jin Park |
第 1 著者 所属(和/英) | Department of Electronic Materials Engineering, The University of Suwon |
発表年月日 | 2002/6/24 |
資料番号 | ED2002-142 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 175 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |