| 講演名 | 2002/6/24 Characteristics of pulse plasma enhanced atomic layer deposition of tungsten nitride diffusion barrier for copper interconnect , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have deposited the W-N diffusion barrier with pulse plasma enhanced atomic layer deposition (PPALD) method by using WF_6 and NH_3. It is very difficult to deposit W-N film with ALD method by using WF_6 and NH_3 due to the fast Si catalytic reaction with WF_6 since the deposition rate is as low as 0.5 Å/cycle. However, using PPALD method the N content is uniformly distributed into the W-N film. The deposition rate per cycle is ～2.2 Å/cycle in the ALD temperature window of 350～400℃. As a diffusion barrier for the Cu interconnect, high resolution-TEM reveals that 22 nm thick W-N successfully prevents Cu diffusion after annealing at 600℃ for 30 min. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | pulse plasma / atomic layer deposition / W-N / diffusion barrier / Cu interconnect |
| 資料番号 | ED2002-141 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of pulse plasma enhanced atomic layer deposition of tungsten nitride diffusion barrier for copper interconnect |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / pulse plasma |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Yong Tae Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor Materials and Devices Lab. |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-141 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |