| 講演名 | 2002/6/24 Formation of [111] Preferentially Oriented Cu Layer on [110] Nb Barrier on SiO_2 , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The [111] oriented Cu layer, which was attracted much attention as an interconnect layer of excellent electronmigration resistance, was obtained on the [110] oriented Nb barrier formed on the thermally grown SiO_2 layer. The rocking curves measured by X-ray diffraction revealed the full width at half maximum (FWHM) values of 6.0° and 3.0° for asdeposited [110] Nb and [111] Cu layers, respectively, which was a good measure of the mosaicity in the prepared thin film assembly. This result suggested that the [111] oriented Cu layer of good quality was obtained on amorphous SiO_2 by using the buffer layer of [110] oriented Nb as a diffusion barrier. The model system of Cu/Nb/SiO_2/Si was thermally stable without excess solid-phase reaction and/or diffusion upon annealing at temperatures up to 500℃ or higher. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | metallization / diffusion barrier / preferred orientation / copper / niobium |
| 資料番号 | ED2002-140 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of [111] Preferentially Oriented Cu Layer on [110] Nb Barrier on SiO_2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / metallization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Md. MANIRUZZAMAN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-140 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |