| 講演名 | 2002/6/24 SON-MOSFETの作製とULSIへの応用 佐藤 力, 新居 英明, 幡野 正之, 竹中 圭一, 林 久貴, 石行 一貴, 平野 智之, 井田 和彦, 青木 伸俊, 大黒 達也, 井納 和美, 水島 一郎, 綱島 祥隆, |
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| 抄録(和) | 我々は、従来困難であったSON(Silicon on Nothing)構造を容易に実現する手法として、シリコンの表面マイグレーションを利用した全く新しいESS(Empty Space in Sihcon)技術を開発した。ここではESS技術を詳述するとともに、本技術を用いて形成したSON構造上にトランジスタ等の素子を試作し、SON構造の有効性を確認した結果を報告する。本技術は、従来のSOI技術では実現困難であった構造、例えばLSIの一部のみをSOI(SON)にしたような構造も容易に実現できることから、トレンチDRAM混載デバイスを初めとした、様々なシステムLSI用途向けの新しい基板構造として広く用いられることが期待される。 |
| 抄録(英) | A practical method for the formation of silicon on nothing (SON) structure with a desired size and shape has been developed, which is named as the empty space in silicon (ESS) technique. The concept of ESS technique and properties of SON structure fabricated by ESS technique are presented. SON-MOSFET was successfully fabricated for the first time by using ESS technique as an alternative of SOI-MOSFET. Advantage of SON structure was experimentally demonstrated. SON structure formed by ESS technique is appropriate for System on a Chip (SoC) applications, such as embedded trench DRAMs and digital-analog mixed devices, due to the merit that SON structure can be fabricated partially on bulk substrate. |
| キーワード(和) | SON(Silicon on Nothing) / SOI(Silicon on Insulator) / ESS(Empty Space in Silicon) / シリコンマイグレーション / 水素アニール |
| キーワード(英) | SON(Silicon on Nothing) / SOI(Silicon on Insulator) / ESS(Empty Space in Silicon) / silicon migration / hydrogen annealing |
| 資料番号 | ED2002-138 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | SON-MOSFETの作製とULSIへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of SON(Silicon on Nothing)-MOSFET and Its ULSI Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SON(Silicon on Nothing) / SON(Silicon on Nothing) |
| キーワード(2)（和/英） | SOI(Silicon on Insulator) / SOI(Silicon on Insulator) |
| キーワード(3)（和/英） | ESS(Empty Space in Silicon) / ESS(Empty Space in Silicon) |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンマイグレーション / silicon migration |
| キーワード(5)（和/英） | 水素アニール / hydrogen annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 力 / Tsutomu SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新居 英明 / Hideaki NII |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 幡野 正之 / Masayuki HATANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹中 圭一 / Keiichi TAKENAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 林 久貴 / Hisataka HAYASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石行 一貴 / Kazutaka ISHIGO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 平野 智之 / Tomoyuki HIRANO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 井田 和彦 / Kazuhiko IDA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 青木 伸俊 / Nobutoshi AOKI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 大黒 達也 / Tatsuya OHGURO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 井納 和美 / Kazumi INO |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 水島 一郎 / Ichiro MIZUSHIMA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 綱島 祥隆 / Yoshitaka TSUNASHIMA |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company TOSHIBA Corporation |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-138 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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