講演名 2002/6/24
An Accurate Two-dimensional Semiconductor Device Analysis using Finite-Element Method
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抄録(和)
抄録(英) A numerical method for analyzing semiconductor devices is described. To make the application of finite element method in semiconductor device simulation, we solved the Poisson and current continuity equation using the Galerkin method and Scharfetter-Gummel scheme in conjunction with 7-point Gaussian quadrature rule. It includes the SRH process, the mobility dependence on the impurity density and the electric field and the band-gap narrowing effect. We used Gummel and Newton algorithm to achieve the speed-up and high convergence rate. Finally, our numerical technique is applied to semiconductor devices and discussion of the electrical characteristics is presented.
キーワード(和)
キーワード(英) Devices / Simulation / Galerkin / Poisson / Continuity
資料番号 ED2002-137
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2002/6/24(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) An Accurate Two-dimensional Semiconductor Device Analysis using Finite-Element Method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Devices
第 1 著者 氏名(和/英) / Sechun Park
第 1 著者 所属(和/英)
School of Electronics and Electrical Engineering, Inha University
発表年月日 2002/6/24
資料番号 ED2002-137
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 175
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日