講演名 | 2002/6/24 An Accurate Two-dimensional Semiconductor Device Analysis using Finite-Element Method , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | A numerical method for analyzing semiconductor devices is described. To make the application of finite element method in semiconductor device simulation, we solved the Poisson and current continuity equation using the Galerkin method and Scharfetter-Gummel scheme in conjunction with 7-point Gaussian quadrature rule. It includes the SRH process, the mobility dependence on the impurity density and the electric field and the band-gap narrowing effect. We used Gummel and Newton algorithm to achieve the speed-up and high convergence rate. Finally, our numerical technique is applied to semiconductor devices and discussion of the electrical characteristics is presented. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | Devices / Simulation / Galerkin / Poisson / Continuity |
資料番号 | ED2002-137 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | An Accurate Two-dimensional Semiconductor Device Analysis using Finite-Element Method |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / Devices |
第 1 著者 氏名(和/英) | / Sechun Park |
第 1 著者 所属(和/英) | School of Electronics and Electrical Engineering, Inha University |
発表年月日 | 2002/6/24 |
資料番号 | ED2002-137 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 175 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |