| 講演名 | 2002/6/24 A Novel Meshing Scheme for Numerical Simulation of Semiconductor Process and Device with Arbitrary Topography , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We report a scheme of mesh generation from an arbitrary topography for semiconductor process and device simulation. A 3D complex structure is generated by the topography simulation based on the cell method. To translate from the planar/non-planar resulting structure into mesh structure, a novel approach is proposed by using the extraction of surface information, followed by generating 3D mesh with advancing front method (AFM). For the numerical simulation to calculating capacitances, finite element method (FEM) is employed. In this paper, this scheme is presented and verified with applications to the 4 conductors of 2μm width with non-planar surface as an example. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Topography / Cell Method / Mesh Generation / Advancing Front Method / NURBS / Semiconductor Process and Device Simulation |
| 資料番号 | ED2002-133 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Novel Meshing Scheme for Numerical Simulation of Semiconductor Process and Device with Arbitrary Topography |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Topography |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Ohseob Kwon |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Computational Electronics Center, School of Electrical and Computer Engineering, Inha University |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-133 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |