| 講演名 | 2002/6/24 SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性 新井 学, 本田 弘毅, 尾形 誠, 沢崎 浩史, 小野 修一, |
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| 抄録(和) | SiC-MESFETの高周波特性を評価するために、ゲート長が0.3、0.5、0.8、1.0、1.3、1.5μmのFETを同一基板上に作製した。そして、ゲート長が1.0μmより短くなると電流利得遮断周波数ft、および最大発信周波数fmaxのゲート長依存性が小さくなることを確認した。このことから、ゲート長が1.0μm以下になるとショートチャネル効果が生じていることが示唆された。そこで、ピンチオフ電圧のゲート長依存性やサブスレッショールド特性を測定して、ショートチャネル効果を検証した。そして、ゲート長とチャネル層厚みのアスペクト比が5以下になるとショートチャネル効果が生じることを確認した。 |
| 抄録(英) | We studied the RF characteristics of SiC-MESFETs with gate lengths from 0.3 to 1.5 μm that were fabricated on the same epitaxial wafer. When the gate length was less than 1.0 μm, the cutoff frequency ft and maximum oscillation frequency fmax were less dependent on the gate length. The degradation of these RF characteristics was apparently caused by the short-channel effect. To uncover the mechanism underlying this, we investigated static electrical characteristics, such as the transconductance and pinch-off voltage, of short-channel SiC-MESFETs and found that the short-channel effect occurred when the aspect ratio of the gate length to channel thickness was 5 or less. |
| キーワード(和) | SiC / MESFET / ゲート長 / ショートチャネル効果 / ピンチオフ |
| キーワード(英) | SiC / MESFET / Gate length / Short-channel effect / Pinch-off |
| 資料番号 | ED2002-131 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The relationship of Gate Length to RF Characteristics of SiC-MESFETs : RF Characteristics of Short-Channel SiC-MESFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MESFET / MESFET |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート長 / Gate length |
| キーワード(4)（和/英） | ショートチャネル効果 / Short-channel effect |
| キーワード(5)（和/英） | ピンチオフ / Pinch-off |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新井 学 / Manabu ARAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社マイクロ波事業部 New Japan Radio Co., Ltd., Microwave Division |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本田 弘毅 / Hirotake HONDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社マイクロ波事業部 New Japan Radio Co., Ltd., Microwave Division |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 尾形 誠 / Makoto OGATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社マイクロ波事業部 New Japan Radio Co., Ltd., Microwave Division |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 沢崎 浩史 / Hiroshi SAWAZAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社マイクロ波事業部 New Japan Radio Co., Ltd., Microwave Division |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小野 修一 / Shuichi ONO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社マイクロ波事業部 New Japan Radio Co., Ltd., Microwave Division |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-131 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |