| 講演名 | 2002/6/24 SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製 小杉 肇, 平尾 太一, 矢野 裕司, 須田 淳, 木本 恒暢, 松波 弘之, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | SiCを用いてRESURF MOSFETを設計、作製した結果を述べる。RESURF(REduced SURface Field)構造は、回路の集積化に有効な横型デバイスの高耐圧化を図る上で重要な構造である。シミュレーションによって電界分布の解析とデバイス構造の最適化を行った。続いて、SiC RESURF MOSFETを作製・評価し、6H-SiC(0001)上のデバイスで、最高耐圧700V、オン抵抗0.69Ωcm^2を得た。 |
| 抄録(英) | Design consideration and characteristics of the fabricated SiC RESURF MOSFETs are described. The RESURF (REduced SURface Field) structure is one of the most widely-used concepts for the design of lateral high-voltage devices, which are key components in power integrated circuits. The RESURF structure in SiC lateral MOSFETs was optimized by using a device simulator. Then RESURF MOSFETs were fabricated on 6H-SiC. A MOSFET exhibited the maximum breakdown-voltage of 700 V and the minimum specific on-resistance of 0.69 Ωcm^2. |
| キーワード(和) | シリコンカーバイド / パワーMOSFET / RESURF / シミュレーション |
| キーワード(英) | silicon carbide / power MOSFET / RESURF / simulation |
| 資料番号 | ED2002-130 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design and Fabrication of SiC RESURF MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | パワーMOSFET / power MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | RESURF / RESURF |
| キーワード(4)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小杉 肇 / Hajime Kosugi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平尾 太一 / Taichi Hirao |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun Suda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / Hiroyuki Matsunami |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-130 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |