| 講演名 | 2002/6/24 A New Junction Termination in Power Semiconductor Devices employing Trench , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have proposed a new junction termination method by employing a shallow oxide trench in order to decrease the junction termination area without sacrificing the breakdown voltage characteristics of the power semiconductor devices. The proposed trench floating field-limiting ring structure decrease the total junction termination area by reducing the space between field-limiting rings (FLR). Reduced space can be obtained due to reduced lateral diffusion region and lower dielectric constant of the silicon dioxide. Our simulations results show that the total junction termination area is considerably decreased with same breakdown voltage condition. Junction termination area of 600V rated device is decreased by 20% compared with that of the conventional FLR structure. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | junction termination / field-limiting ring / breakdown |
| 資料番号 | ED2002-129 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A New Junction Termination in Power Semiconductor Devices employing Trench |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / junction termination |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jae-Keun OH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | School of Electrical Eng. #50, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-129 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |