講演名 2002/6/24
High Energy Radiation Degradation of High Speed Diodes for Space Applications
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抄録(和)
抄録(英) High speed (GHz) bandwidth p-i-n photodiodes are an important element in gigabit communication modules. In this paper, we examine the degradation of the high-speed performance of 1.5GHz Si p-i-n photodiodes after MeV electron irradiation using IV, CV and Transient Laser Beam Induced Current.
キーワード(和)
キーワード(英) p-i-n diodes / LBIC / radiation damage
資料番号 ED2002-127
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2002/6/24(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High Energy Radiation Degradation of High Speed Diodes for Space Applications
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / p-i-n diodes
第 1 著者 氏名(和/英) / J.S. Laird
第 1 著者 所属(和/英)
Japan Atomic Energy Research Institute(JAERI)
発表年月日 2002/6/24
資料番号 ED2002-127
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 175
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日