講演名 | 2002/6/24 High Energy Radiation Degradation of High Speed Diodes for Space Applications , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | High speed (GHz) bandwidth p-i-n photodiodes are an important element in gigabit communication modules. In this paper, we examine the degradation of the high-speed performance of 1.5GHz Si p-i-n photodiodes after MeV electron irradiation using IV, CV and Transient Laser Beam Induced Current. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | p-i-n diodes / LBIC / radiation damage |
資料番号 | ED2002-127 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High Energy Radiation Degradation of High Speed Diodes for Space Applications |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / p-i-n diodes |
第 1 著者 氏名(和/英) | / J.S. Laird |
第 1 著者 所属(和/英) | Japan Atomic Energy Research Institute(JAERI) |
発表年月日 | 2002/6/24 |
資料番号 | ED2002-127 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 175 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |