| 講演名 | 2002/6/24 High-Voltage MOS Devices for Flat Panel Display Drivers , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We implemented 25V uni-directional and bi-directional MOS devices in a 0.35um standard low-voltage CMOS process for flat panel display driver applications such as TFT-LCD, STN-LCD and organic EL. In this paper, we present the process integration and the high-voltage device performance of 25V intelligent power integrated circuit processes. We obtained the specific on-resistances of 0.13 mΩ・cm^2 and 0.81mΩ・cm^2 for 25V uni-directional n-channel and p-channel devices, respectively. And the specific on-resistances of 25V bi-directional n-channel and p-channel devices are 0.69 mΩ・cm^2 and 1.41mΩ・cm^2, respectively. The breakdown voltage of developed high-voltage devices is more than 31V and the performance of those high-voltage devices is the best-reported result for the 25V voltage rating devices. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | High-Voltage Devices / HVIC / Drift region / LDMOS / RESURF |
| 資料番号 | ED2002-125 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Voltage MOS Devices for Flat Panel Display Drivers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / High-Voltage Devices |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Pyong-Su Kwag |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-125 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |