| 講演名 | 2002/6/24 A Low Power Highly linear Cascoded Multiple Gated Transistor CMOS RF Amplifier with 10dB IP3 Improvement , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A low power highly linear CMOS RF amplifier circuit composed of Multiple Gated common-source FET TRansistor (MGTR) in cascode configuration is reported. In MGTR amplifier, linearity is improved by using transconductance linearization which can be achieved with canceling the negative peak value of g_m'' of the main transistor with the positive one in auxiliary transistor having different size and gate drive combined in parallel. This enhancement, however, is limited by the distortion originated from the combined influence of g_m' and harmonic feedback, which can greatly be reduced by cascoding MGTR output. IP3 improvement as large as 10dB has been obtained from an experimental RF amplifier designed at 900 MHz and fabricated using 0.35μm BiCMOS technology using only CMOS at similar power consumption and gain as those obtainable from conventional cascode single gate transistor amplifier. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | MGTR / CMOS / nonlinearity / IP3 |
| 資料番号 | ED2002-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Low Power Highly linear Cascoded Multiple Gated Transistor CMOS RF Amplifier with 10dB IP3 Improvement |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MGTR |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Tae Wook Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of EECS, Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-123 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |