| 講演名 | 2002/6/24 Effects of Fluorine Incorporation on the Negative-Bias-Temperature Instability (NBTI) of P-Channel MOSFETs , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The impacts of fluorine incorporation on the characteristics of p^+-poly-Si-gated PMOSFETs were measured before and after negative-bias-temperature-instability (NBTI) stress. Fluorine species was incorporated during S/D extension and/or deep S/D implantation using BF_2^+. A reduction in interface state density with higher F dosage is observed. Moreover, the NBTI resistance is also found to increase with increasing F incorporation, as long as the thermal budget is carefully controlled to prevent the occurrence of boron penetration phenomenon. These improvements can be ascribed to the replacement of the bonded H atoms by F ones at the Si-SiO_2 interface. However, the threshold voltage as well as oxide thickness also varies with fluorine incorporation. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | negative-bias-temperature-instability (NBTI) / PMOSFETs / Thin gate oxide |
| 資料番号 | ED2002-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Fluorine Incorporation on the Negative-Bias-Temperature Instability (NBTI) of P-Channel MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / negative-bias-temperature-instability (NBTI) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Wan-Ju CHIANG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Institute of Electronics, National Chiao Tung University |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-119 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |