| 講演名 | 2002/6/24 ELFIN (ELevated Field INsulator) and SEP (S/D Elevated by Poly-Si Plugging) Process for Ultra-Thin SOI MOSFETs , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | ELFIN (ELevated Field INsulator) process for device isolation and SEP (S/D Elevated by Poly-Si Plugging) process for elevated S/D structure is developed for ultra-thin SOI MOSFETs with SOI film less than 20 nm. With ELFIN, reverse narrow channel effect of NMOSFET is improved by about 50 %, gate leakage current decreased by about 30 %, and hot-carrier immunity increased by about 20 % as compared to that with conventional STI (Shallow-Trench-Isolation) process. With SEP, thick S/D region is obtained even with 20 nm SOI film so that S/D resistance is deceased to a third with excellent uniformity as compared with conventional thin S/D structure because normal thick silicide can be used like bulk devices. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Thin-film SOI MOSFET / Device Isolation / ELFIN / SEP / Reverse Narrow Channel Effect |
| 資料番号 | ED2002-118 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ELFIN (ELevated Field INsulator) and SEP (S/D Elevated by Poly-Si Plugging) Process for Ultra-Thin SOI MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Thin-film SOI MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jong-Wook LEE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Silicon Systems Research Labs. |
| 発表年月日 | 2002/6/24 |
| 資料番号 | ED2002-118 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |