| 講演名 | 2002/4/9 SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング 野口 隆, |
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| 抄録(和) | ポリSiTFTは、ガラスなどの基板上につくる液晶(LCD)や有機EL(OLED)などの平面ディスプレイ駆動素子として、研究開発が盛んである。結晶化法など製造プロセスの改善により、駆動電流向上が求められており、低抵抗S/Dの形成は重要な項目の一つでもある。ポリSi膜中で有効な不純物活性化法であるSPCとELAに関して述べる。不純物イオン注入を施したアモルファスSi膜にSPCを施すと、p型ポリSiにおいても平坦で大きな樹枝状粒径が得られ低抵抗化が可能になる。また更にELAを施すことで、結晶性の著しい結晶性の改善とともにより有効な活性化が可能になる。更に低電圧化において期待される高性能TFTにおいて、p型SiGeゲート膜の活性化の有効性を述べる。結晶性、活性化評価に有効な非接触分光法の有効性にも触れ、材料物性、プロセスの基本的な観点より論じる。 |
| 抄録(英) | Poly-Si TFT is studied intensively for applying to the active device that addressing FPD (Flat Panel Display) on the substrate such as glass. A formation of S/D with low resistance is important for the TFT. Effective activation of poly-Si film by SPC and/or ELA is described. By adopting the SPC technique for amorphous Si films, an enlargement of dendrite grains peculiar to the case of SPC reduces substantially the resistance even for the p-type film. Subsequent ELA realizes an effective activation by improving further the crystallinity. The effective activation by using SPC and/or ELA applying to the S/D as well as to the SiGe gate has an advantage in high performance Si TFT for FPD such as LCD (Liquid Crystal Display) or OLED (Organic Light Emitting Diode) display as well as in FD SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) transistors for Si LSI. The non-destructive optical analysis for the activation and the crystallinity using spectroscopic technique in UV and in JR is also promising a practical In-Process tool. |
| キーワード(和) | TFT / ポリSi / LCD / OLED / SPC / ELA / SOP / FPD / S/D |
| キーワード(英) | TFT / poly-Si / LCD / OLED / SPC / ELA / SOP / FPD / S/D |
| 資料番号 | OME2002-7 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2002/4/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effective Activation of poly-Si film doped by SPC and ELA |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(2)（和/英） | ポリSi / poly-Si |
| キーワード(3)（和/英） | LCD / LCD |
| キーワード(4)（和/英） | OLED / OLED |
| キーワード(5)（和/英） | SPC / SPC |
| キーワード(6)（和/英） | ELA / ELA |
| キーワード(7)（和/英） | SOP / SOP |
| キーワード(8)（和/英） | FPD / FPD |
| キーワード(9)（和/英） | S/D / S/D |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野口 隆 / Takashi NOGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | パリ大学11、基礎電子工学研究所、(仏国立科学研究センター) Institute d'Electronique Fondamentale, Universite Paris-sud |
| 発表年月日 | 2002/4/9 |
| 資料番号 | OME2002-7 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 8 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |