| 講演名 | 2002/4/9 金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性 牧平 憲治, 野崎 洋之, 浅野 種正, 宮坂 光敏, |
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| 抄録(和) | 金属誘起固相結晶化において金属の量を制限した場合の結晶成長特性について検討を行った。Niの供給量を制限することで成長特性のパターン依存性、アニール温度依存性が顕著に現れることがわかった。成長特性はアニール温度の低下に伴い、連続な成長端を持つ成長から樹状、針状に結晶の形態が変化する。そして成長速度はアニール温度が高い場合はNiの拡散が支配的であることを示唆する結果が得られた。450℃のアニールによって長さ約10μm、幅100nmの針状Si結晶が得られた。Ni供給パターンの依存性はアニール温度が高い場合にはNiの濃度分布によるものであり、低い場合には結晶核形成頻度がNiパターン依存性を持つことがわかった。 |
| 抄録(英) | Metal induced lateral crystallization with a small amount of Ni have been investigated. To reduced the amount of Ni, the dependence of characteristics on annealing temperature and on Ni source pattern were appeared. Growth characteristics were changed from uniform to needlelike with reducing annealing temperature. characteristics of growth with high temperature annealing was dominated diffusion of Ni. Needlelike crystal having about 10μm length and about 100nm width was obtained with 450℃ annealing. The dependence of growth characteristics with high annealing temperature on Ni pattern were-considered to be owing Ni distribution and the nucleation rate was depend on Ni pattern at low temperature. |
| キーワード(和) | 金属誘起横方向結晶化 / 固相結晶化 / 多結晶シリコン / パターン依存性 |
| キーワード(英) | metal induced lateral crystallization / solid-phase crystallization / poly-Si / pattern dependence |
| 資料番号 | OME2002-6 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2002/4/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of Solid-Phase Crystallization of a-Si Depending on the Amount of Ni Source |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属誘起横方向結晶化 / metal induced lateral crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | 固相結晶化 / solid-phase crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| キーワード(4)（和/英） | パターン依存性 / pattern dependence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 牧平 憲治 / Kenji Makihira |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野崎 洋之 / Hiroyuki Nozaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮坂 光敏 / Mitsutoshi Miyasaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | セイコーエプソン(株)テクノロジープラットフォーム研究所 Technology Platform Research Center, Seiko Epson Corporation |
| 発表年月日 | 2002/4/9 |
| 資料番号 | OME2002-6 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 8 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |