| 講演名 | 2002/4/9 ボンド変調によるa-Si/SiO_2の低温固相成長 佐道 泰造, 角田 功, 長友 圭, 権丈 淳, 宮尾 正信, |
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| 抄録(和) | SiO_2膜上に形成した非晶質Si薄膜(35～500nm)にGe導入(0～20%)及びArイオン線照射を施してSi-Siボンドを変調し,ボンド変調が固相成長に与える影響について調べた。その結果,非晶質Siの核形成温度(固相成長開始温度)は800℃であるが,Ge導入およびイオン線照射により,それぞれ700及び500℃に低下することがわかった。更に,Ge導入とイオン線照射の併用により,核形成温度は400℃に低下した。また,核成長速度は,Ge導入及びイオン線照射により増加した。即ち,ボンド変調により,核形成及び核成長の両方が促進されることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | Effects of Ge doping and ion-irradiation on solid-phase crystallization of amorphous Si on SiO_2 have been investigated. The results showed that the annealing temperature required to crystal nucleation significantly decreased to 400℃ by using both Ge doping and ion-irradiation (25 keV, 1x10^<16> cm^<-2>). In addition, crystal growth along both (111) and (220) direction was confirmed by using X-ray diffraction method. The enhancement of crystal nucleation is discussed on the basis of Si-Si bond-modulation induced by Ge doping and ion-irradiation. This bond modulation method will be a powerful tool to fabricate high-quality and low-cost poly-Si thin-film transistors on glass substrates. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / 固相成長 / 核形成 / ゲルマニウム / イオン線照射 |
| キーワード(英) | Poly-Si / Solid-phase crystallization / Crystal nucleation / Ge / Ion-irradiation |
| 資料番号 | OME2002-5 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2002/4/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ボンド変調によるa-Si/SiO_2の低温固相成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Temperature Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO_2 Enhanced by Bond Modulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / Poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | 固相成長 / Solid-phase crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 核形成 / Crystal nucleation |
| キーワード(4)（和/英） | ゲルマニウム / Ge |
| キーワード(5)（和/英） | イオン線照射 / Ion-irradiation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 角田 功 / Isao TSUNODA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長友 圭 / Kei NAGATOMO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 権丈 淳 / Atsushi KENJO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2002/4/9 |
| 資料番号 | OME2002-5 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 8 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |