講演名 | 2002/4/9 ボンド変調によるa-Si/SiO_2の低温固相成長 佐道 泰造, 角田 功, 長友 圭, 権丈 淳, 宮尾 正信, |
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抄録(和) | SiO_2膜上に形成した非晶質Si薄膜(35~500nm)にGe導入(0~20%)及びArイオン線照射を施してSi-Siボンドを変調し,ボンド変調が固相成長に与える影響について調べた。その結果,非晶質Siの核形成温度(固相成長開始温度)は800℃であるが,Ge導入およびイオン線照射により,それぞれ700及び500℃に低下することがわかった。更に,Ge導入とイオン線照射の併用により,核形成温度は400℃に低下した。また,核成長速度は,Ge導入及びイオン線照射により増加した。即ち,ボンド変調により,核形成及び核成長の両方が促進されることが明らかとなった。 |
抄録(英) | Effects of Ge doping and ion-irradiation on solid-phase crystallization of amorphous Si on SiO_2 have been investigated. The results showed that the annealing temperature required to crystal nucleation significantly decreased to 400℃ by using both Ge doping and ion-irradiation (25 keV, 1x10^<16> cm^<-2>). In addition, crystal growth along both (111) and (220) direction was confirmed by using X-ray diffraction method. The enhancement of crystal nucleation is discussed on the basis of Si-Si bond-modulation induced by Ge doping and ion-irradiation. This bond modulation method will be a powerful tool to fabricate high-quality and low-cost poly-Si thin-film transistors on glass substrates. |
キーワード(和) | 多結晶シリコン / 固相成長 / 核形成 / ゲルマニウム / イオン線照射 |
キーワード(英) | Poly-Si / Solid-phase crystallization / Crystal nucleation / Ge / Ion-irradiation |
資料番号 | OME2002-5 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OME |
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開催期間 | 2002/4/9(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ボンド変調によるa-Si/SiO_2の低温固相成長 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Low Temperature Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO_2 Enhanced by Bond Modulation |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 多結晶シリコン / Poly-Si |
キーワード(2)(和/英) | 固相成長 / Solid-phase crystallization |
キーワード(3)(和/英) | 核形成 / Crystal nucleation |
キーワード(4)(和/英) | ゲルマニウム / Ge |
キーワード(5)(和/英) | イオン線照射 / Ion-irradiation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
第 1 著者 所属(和/英) | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 角田 功 / Isao TSUNODA |
第 2 著者 所属(和/英) | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 長友 圭 / Kei NAGATOMO |
第 3 著者 所属(和/英) | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 権丈 淳 / Atsushi KENJO |
第 4 著者 所属(和/英) | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
第 5 著者 所属(和/英) | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
発表年月日 | 2002/4/9 |
資料番号 | OME2002-5 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 8 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |