| 講演名 | 2002/4/9 Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価 中川 未浩, 河北 哲郎, 矢野 裕司, 畑山 智亮, 浦岡 行治, 冬木 隆, |
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| 抄録(和) | G0LD(Gate Overlapped LDD)構造をもつ低温ポリシリコンn-ch TFTを作製し、初期特性及び、DCストレス信頼性をデバイスシミュレーターにより詳細に解析した。GOLDTFTはゲート電極による寄生抵抗の低減効果によってSingle Drain TFTと同等の高性能を実現するとともに、LDDTFTよりも高い信頼性を有する。これはホットキャリアが発生しやすいVd>Vgとなるバイアス印加時に、GOLDTFT特有のチャネル垂直方向の電界がホットキャリアストレスによる画定電荷やトラップの影響を低減させることができるためであると考えた。これはスクリーニング効果とは異なる考え方である。性能と信頼性の両立を可能にするGOLDTFTは高性能回路動作用デバイスに適している。 |
| 抄録(英) | We have discussed the degradation mechanism of the Low Temperature Poly-Si GOLD(Gate-Overlapped LDD) Structure TFTs using two-dimensional device simulator. We have calculated distributions of horizontal electric field, vertical field and free carriers for various doping conditions and various bias conditions systematically. Hot carriers are generated far from the interface by the strong vertical electric field. Therefore, less hot electrons are injected into gate oxide. Therefore, the GOLD Structure is suitable for a high performance driving circuit. |
| キーワード(和) | 低温ポリシリコンTFT / GOLD / 信頼性 / ホットキャリア / 電界 |
| キーワード(英) | Low Temperature Poly-Si TFTs / GOLD / Reliability / Hot carriers / Electric field |
| 資料番号 | OME2002-2 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2002/4/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Reliability of Low-Temperature poly-Si TFTs with Gate-Overlapped LDD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温ポリシリコンTFT / Low Temperature Poly-Si TFTs |
| キーワード(2)（和/英） | GOLD / GOLD |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(4)（和/英） | ホットキャリア / Hot carriers |
| キーワード(5)（和/英） | 電界 / Electric field |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中川 未浩 / H Nakagawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 河北 哲郎 / T Kawakita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 矢野 裕司 / H Yano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑山 智亮 / T Hatayama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Y Uraoka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / T Fuyuki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2002/4/9 |
| 資料番号 | OME2002-2 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 8 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |