| 講演名 | 2002/4/4 書き込み速度10MB/sの125mm^21GビットNAND型フラッシュメモリ 河合 鉱一, 今宮 賢一, 中村 寛, |
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| 抄録(和) | 0.13umのCMOS技術を用いることによって、チップサイズ125mm^2の1GビットNAND型フラッシュを開発した。メモリの構成を変えることによりチップサイズを縮小し、また10.6MB/sの書き込み速度、20MB/sの読み出し速度を実現した。ページコピー機能によりデータの書き換えスピードも9.4MB/sに達する。 |
| 抄録(英) | A 125mm^2 1Gb NAND flash is achieved by using 0.13μm-CMOS. Cell size is 0.077μm^2. Chip architecture is changed to reduce chip size and to realize high performance of 10.6MB/s throughput for program and 20MB/s for read. On-chip page copy function provides 9.4MB/s throughput for garbage collection. |
| キーワード(和) | 大容量 / フラッシュメモリ / NAND型 / 書き込み性能 |
| キーワード(英) | High density / Flash memory / NAND type / Program performance |
| 資料番号 | ICD2002-6 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2002/4/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 書き込み速度10MB/sの125mm^21GビットNAND型フラッシュメモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 125mm^2 1Gb NAND Flash Memory with 10MB/s Program Throughput |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 大容量 / High density |
| キーワード(2)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | NAND型 / NAND type |
| キーワード(4)（和/英） | 書き込み性能 / Program performance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河合 鉱一 / Koichi KAWAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター Memory LSI R&D Center, Memory Division, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 今宮 賢一 / Kenichi IMAMIYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター Memory LSI R&D Center, Memory Division, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 寛 / Hiroshi NAKAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター Memory LSI R&D Center, Memory Division, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 発表年月日 | 2002/4/4 |
| 資料番号 | ICD2002-6 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |