| 講演名 | 2002/6/25 Studies of electron beam evaporated SiO_2/AlGaN/GaN-metal-oxide-semiconductor HEMTs on sapphire substrate , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors (MOS-HEMTs) have been demonstrated on sapphire substrates, and the dc characteristics of the fabricated devices were examined. The electron beam (EB) evaporated SiO_2 oxide layers were used as a gate-insulator. The fabricated MOS-HEMTs have exhibited superior dc characteristics when compared with the conventional AlGaN/GaN HEMTs. The MOS-HEMTs could operate at positive gate-biases as high as +4.0 V. The MOS-HEMTs exhibited high drain current at 856 mA/mm. The extrinsic transconductance of 144 mS/mm has been found in 1.7 μm-gate-length EB-SiO_2 MOS-HEMTs. The gate leakage current was three orders of magnitude smaller than that of the conventional AlGaN/GaN HEMTs. The stable device operations at high gate voltages indicate that the trap density at the interface between the EB-SiO_2 and AlGaN/GaN heterostructure will be low. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / MOCVD / HEMT / MOS-HEMT / Electron Beam Evaporated SiO_2 |
| 資料番号 | SDM2002-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Studies of electron beam evaporated SiO_2/AlGaN/GaN-metal-oxide-semiconductor HEMTs on sapphire substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlGaN/GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / S. ARULKUMARAN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Research Center for Micro-structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/6/25 |
| 資料番号 | SDM2002-114 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 179 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |