| 講演名 | 2002/6/25 GaNと関連材料の表面の性質とその制御 長谷川 英機, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | MOVPEおよびMBE法で形成された窒化ガリウムとその関連材料の表面のもつ性質とその制御に関して、著者らのグループが最近行った研究の成果について述べている。種々のインシツおよびエクスシツの評価手段が用いられており、その中には、著者らのグループで開発されたUHV非接触C-V法、PL表面準位分光法、ゲートレスFETによる電流輸送評価法が含まれている。GaNの自由表面は、特定の電荷中性準位をもつU字型連続分布をもつ表面準位に、しばしば、窒素空孔に関連する離散準位が加わる形をとる。GaNのショットキ接触は、大きな逆方向電流を示し、これは、金属堆積で発生する窒素空孔に関連するドナが関与するとする新しいTSBモデルで説明できる。窒化ガリウムとその関連材料の表面パッシベーションには、ECRプラズマによるシリコン窒化膜や酸化アルミニウム膜が、かなり良い結果を与える。 |
| 抄録(英) | Results of recent efforts that have been made by the authors' group at RCIQE to clarify and control the properties of surfaces of GaN and related materials grown by MOVPE and MBE are presented and discussed. Various in-situ and ex-situ characterization techniques were used, that include the UHV contactless C-V technique, photoluminescence surface state spectroscopy technique and gateless FET technique for current transport study that have been developed by the authors' group. Surface states with U-shaped continuous distribution, having a particular charge neutrality level, exist on free GaN surfaces with frequent appearance of N-vacancy related deep donor states having a discrete level. High reverse leakage currents in GaN Schottky contacts can be explained by a new thin surface barrier (TSB) model involving N-vacancy related deep donors induced by metal deposition. Reasonably good surface passivation can be achieved by ECR-plasma deposited SiN_X film and by ECR-plasma oxidized AIO_X films. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / 表面 / フェルミ準位ピンニング / ショットキ障壁 / 表面不活性化 |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / surface / Fermi level pinning / Schottky barrier / surface passisvation |
| 資料番号 | SDM2002-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/25(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | GaNと関連材料の表面の性質とその制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties and Control of Surfaces of GaN and Related Materials |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 表面 / surface |
| キーワード(4)（和/英） | フェルミ準位ピンニング / Fermi level pinning |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキ障壁 / Schottky barrier |
| キーワード(6)（和/英） | 表面不活性化 / surface passisvation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻 School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2002/6/25 |
| 資料番号 | SDM2002-110 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 179 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |