| 講演名 | 2002/6/25 移動体通信端末用GaAs PHEMT/HBT高出力増幅器 森 一富, 新庄 真太郎, |
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| 抄録(和) | 移動体通信端末用の2つの高出力増幅器(HPA)について紹介する。一つはW-CDMA携帯電話用のGaAs PHEMT3段HPAモジュールで、ACPRが-38dBcという低ひずみ特性を満足した上で、効率43.9%を実現している。このHPAは最大出力時に高効率な特性と低ひずみな特性を実現するためにHPF/LPF組合せ型の段間整合回路を採用している。一方のHPAは定電圧/定電流並列動作1段HBT HPAで、最大出力26.8dBm以下の全出力レベルにおいてACPRが-40dBc以下の特性を、17mAという低アイドル電流で実現している。異なる動作のべースバイアス回路(定電圧と定電流)のHBTを組み合わせることにより、バックオフの大きな出力レベルでの歪特性を互いに補償している。 |
| 抄録(英) | Two high power amplifiers (HPAs) for mobile communication terminals are introduced. One is a three-stage GaAs PHEMT HPA module for W-CDMA cellular phones, which achieves high efficiency of 43.9% with low distortion of ACPR of -38dBc. The HPA employs a HPF/LPF combined interstage matching circuit to achieve high efficiency and low distortion at the maximum output power level. The other is a constant voltage / constant current (CV/CC) parallel operation one-stage HBT HPA, which can realize low quiescent current of 17mA and ACPR of less than -40dBc in the output power range up to 26.8dBm for W-CDMA cellular phones. By combining two HBTs having different base bias circuits (CV and CC), non-linearity at large back-off region can be canceled out. |
| キーワード(和) | GaAs / PHEMT / HBT / 高出力増幅器 / 移動体通信端末 |
| キーワード(英) | GaAs / PHEMT / HBT / High Power Amplifier / Mobile Communication Terminals |
| 資料番号 | SDM2002-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 移動体通信端末用GaAs PHEMT/HBT高出力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaAs PHEMT/HBT High Power Amplifiers for Mobile Communication Terminals |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | PHEMT / PHEMT |
| キーワード(3)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(4)（和/英） | 高出力増幅器 / High Power Amplifier |
| キーワード(5)（和/英） | 移動体通信端末 / Mobile Communication Terminals |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 一富 / Kazutomi Mori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2002/6/25 |
| 資料番号 | SDM2002-108 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 179 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |