講演名 | 2002/2/15 干渉分光データのウェーブレット処理によるシリコン微細溝形状測定シミュレーション 白崎 博公, |
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抄録(和) | 2次元ガウスビームをシリコンのトレンチに照射した際の干渉分光波形を、境界要素法を用いて求めている。干渉分光波形は、シリコンの誘電率の周波数分散を考慮し、溝幅が光波の遮断波長に近いところで、深さや偏光を変えて求めている。そして、干渉分光波形をウェーブレット処理してトレンチの深さ測定を行っている。この方法では、時間と周波数を同時に調べる事が出来るため、遮断の現象がある場合も、正確に調べる事が出来る。そして、深さとスケールの逆数が比例関係にあり、深さ測定が可能であることを示している。また、テーパ形トレンチについても解析を行っている。 |
抄録(英) | The interference spectrum characteristic by Gaussian beam irradiated to two dimensional silicon trench is examined by the boundary element method. The interference spectrum data is obtained by changing the permittivity, the trench depth and the trench width, and the polarization of the beam. Then, the trench depth is examined by the interference spectrum data using the continuous wavelet method. Using this new method instead of the FFT processing, the depth is accurately measured at the cutoff width because the wavelet has the frequency and time information as well. So the tapered trenches are analyzed using the wavelet analysis. |
キーワード(和) | 半導体 / トレンチ / ウェーブレット解析 / 干渉分光法 / 境界要素法 |
キーワード(英) | semiconductor / trench / wavelet analysis / interference spectroscopy / BEM |
資料番号 | OPE2001-151 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OPE |
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開催期間 | 2002/2/15(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 干渉分光データのウェーブレット処理によるシリコン微細溝形状測定シミュレーション |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Shape measurement simulation for the silicon trench by continuous wavelet analysis with interference spectroscopy |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 半導体 / semiconductor |
キーワード(2)(和/英) | トレンチ / trench |
キーワード(3)(和/英) | ウェーブレット解析 / wavelet analysis |
キーワード(4)(和/英) | 干渉分光法 / interference spectroscopy |
キーワード(5)(和/英) | 境界要素法 / BEM |
第 1 著者 氏名(和/英) | 白崎 博公 / Hirokimi SHIRASAKI |
第 1 著者 所属(和/英) | 玉川大学工学部 Electrical Engineering Dept., Tamagawa University |
発表年月日 | 2002/2/15 |
資料番号 | OPE2001-151 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 656 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |