| 講演名 | 2005/11/17 ポリチオフェンFETの誘電特性と界面電荷現象(機能性有機薄膜・一般) 松川 典仁, 伊東 栄次, 宮入 圭一, |
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| 抄録(和) | 本研究ではポリイミドゲート絶縁層上に作製したポリチオフェンFETの絶縁体/半導体界面の電荷現象に注目しながら、OFETの静特性とMISキャパシタの誘電特性の解析を試みた。界面電荷現象は絶縁層厚が薄いほど検出しやすいことに着目し、ポリイミドの実効膜厚低減のためにゲート絶縁材料として高誘電率材料であるTa_2O_5の上に極薄ポリイミド膜を挿入し、その2層膜をゲート絶縁層として用いた。OFETの静特性からポリイミド系絶縁材料を用いることで閾値電圧の正側へのシフトを観測した。また、誘電特性からMaxwell-Wagnerモデルに基づき数10Hzの低周波及び100kHzの領域にてそれぞれ界面容量及びバルクのキャリア応答に対応する誘電分散を観測した。そして、絶縁体/半導体界面に数nmの界面層が存在し、FET特性に大きく影響を及ぼしていることが判明した。 |
| 抄録(英) | In this study, we have investigated the FET properties and the dielectric properties of Poly(3-hexylthiophene)(P3HT) FET prepared on Ta_2O_5/polyimide double layered gate insulator. We succeeded to reduce the effective thickness of gate insulator by the use of double layered structure consisting of ultra thin polyimide (～30nm) and the high-K dielectric Ta_2O_5 layers. The threshold voltage changed positively by inserting polyimide thin film and this change was attributed to the displacement of electrons from P3HT to electron accepting polyimide films. We have observed the dielectric dispersion based on Maxwell-Wagner model and the interfacial layers of a few nm at the semiconductor/gate insulator interface. It is proved that the interfacial layer exercise an influence on FET properties. |
| キーワード(和) | ポリチオフェン / ポリイミド / 閾値電圧 |
| キーワード(英) | OFET / Poly thiophene / Ta_2O_5 / Polyimide / threshold voltage |
| 資料番号 | OME2005-91 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2005/11/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ポリチオフェンFETの誘電特性と界面電荷現象(機能性有機薄膜・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interfacial charge phenomena and dielectric properties of Poly thiophene FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ポリチオフェン / OFET |
| キーワード(2)（和/英） | ポリイミド / Poly thiophene |
| キーワード(3)（和/英） | 閾値電圧 / Ta_2O_5 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松川 典仁 / Norihito MATSUKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊東 栄次 / Eiji ITOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮入 圭一 / Keiichi MIYAIRI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2005/11/17 |
| 資料番号 | OME2005-91 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 425 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |