講演名 2005/11/17
Prism/Ag/MEH-PPV/C60/Al構造における表面プラズモン励起と光電特性(機能性有機薄膜・一般)
岩見 暢彦, 皆川 正寛, 大平 泰生, 新保 一成, 加藤 景三, 金子 双男,
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抄録(和) 三角プリズム/MgF_2/Ag/MEH-PPV/Fullerene(C_<60>)/Al構造の素子を作製し、表面プラズモン(SP)励起を利用した全反射減衰(ATR)法により、光電特性の測定を行った。Ag/MEH-PPV/C_<60>/Alからなる光電素子とプリズム間にプリズムよりも屈折率が小さい無色透明なMgF_2を挿入することにより、Otto配置の構成となるためMgF_2とAgの界面でSPを励起することができる。この構造に対し、ATR特性と短絡光電流(I_)の測定を同時に行った。MgF_2/Ag界面でSP励起に基づいたATRディップ観測され、そのディップに対応して短絡光電流が増大した。また、各層における光吸収量についてATRカーブから得られた膜厚と誘電率を基に、理論計算を行った。SPが励起している時とSPが励起していない時とを比較すると、有機層における光吸収(λ=514.5nm)がSP励起時で10倍大きくなった。この強い光吸収はSP励起のためであると考えられ、光電変換効率の向上に有用である。
抄録(英) Photoelectric properties utilizing surface plasmon (SP) excitation were investigated for prism/MgF_2/Ag/MEH-PPV/Fullerene(C_<60>)/Al structure. MgF_2 layer has lower refractive index than the prism and SPs can be excited at interface between MgF_2 and Ag due to Otto configuration. Attenuated total reflection (ATR) and short-circuit photocurrent (I_) curves were measured at the same time. ATR dips observed due to SP excitation and short-circuit photocurrent has increased corresponding to the dip. When SPs were excited, absorption of light (λ=514.5nm) in the organic layer was ten times larger than that when SPs were not excited. It is considered that the strong absorption in organic layer was due to SP excitation, and this property is useful for improvement of device efficiency.
キーワード(和) 表面プラズモン / Otto構造 / 光電特性
キーワード(英) Surface plasmon (SP) / Otto configuration / MEH-PPV / C60 / photoelectric property
資料番号 OME2005-83
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2005/11/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Prism/Ag/MEH-PPV/C60/Al構造における表面プラズモン励起と光電特性(機能性有機薄膜・一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Surface Plasmon Excitation and Photoelectric Properties of Prism/Ag/MEH-PPV/C60/Al Structure
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 表面プラズモン / Surface plasmon (SP)
キーワード(2)(和/英) Otto構造 / Otto configuration
キーワード(3)(和/英) 光電特性 / MEH-PPV
第 1 著者 氏名(和/英) 岩見 暢彦 / Nobuhiko IWAMI
第 1 著者 所属(和/英) 新潟大院自然科学
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 2 著者 氏名(和/英) 皆川 正寛 / Masahiro MINAGAWA
第 2 著者 所属(和/英) 新潟大院自然科学
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 3 著者 氏名(和/英) 大平 泰生 / Yasuo OHDAIRA
第 3 著者 所属(和/英) 新潟大学工:新潟大超域研究機構
Department of Electrical Electronic Engineering, Niigata University:Center for Transdisciplinary Research, Niigata University
第 4 著者 氏名(和/英) 新保 一成 / Kazunari SHINBO
第 4 著者 所属(和/英) 新潟大学工:新潟大超域研究機構
Department of Electrical Electronic Engineering, Niigata University:Center for Transdisciplinary Research, Niigata University
第 5 著者 氏名(和/英) 加藤 景三 / Keizo KATO
第 5 著者 所属(和/英) 新潟大院自然科学:新潟大超域研究機構
Graduate School of Science and Technology, Niigata University:Center for Transdisciplinary Research, Niigata University
第 6 著者 氏名(和/英) 金子 双男 / Futao KANEKO
第 6 著者 所属(和/英) 新潟大学工:新潟大超域研究機構
Department of Electrical Electronic Engineering, Niigata University:Center for Transdisciplinary Research, Niigata University
発表年月日 2005/11/17
資料番号 OME2005-83
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 425
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日