| 講演名 | 2005-11-25 ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般) 葛西 誠也, 小谷 淳二, 長谷川 英機, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | ショットキーゲートGaN系ヘテロ構造FET(HFET)に関し, ナノメートルサイズまでゲート長を短縮した際に生じる特有のゲートリーク電流, および, ゲート制御性のスケーリング異常について, 理論的・実験的検討を行った.ナノメートルショットキーゲートでは, ゲート端と表面電位の差によって形成される強電界領域をキャリアがトンネルするため生じる, 横方向リーク電流が顕著に生じる.またそのゲート制御特性は, この横方向電流成分により引き起こされたゲート端近傍の表面電位の変化: 仮想ゲートにより支配され, スケーラビィリティが失われる.この機構がGaN系材料で固有のものである要因についても考察する. |
| 抄録(英) | Anomalous gate leakage current and gate control anomaly in AlGaN/GaN HFETs having nanometer-scale Schottky gates were investigated both experimentally and theoretically. It was found that the gate leakage current in the nanometer-scale Schottky gates consisted a lateral tunneling current at the gate edge through the high electric field domain at gate periphery due to large potential difference between the gate metal and the AlGaN surface. The gate control characteristics of nanometer-scale Schottky gate was indicated to be controlled by a so called virtual gate, where the surface potential at the gate periphery was modulated by the lateral gate leakage current, and it should degrade the scalability of the gate control. |
| キーワード(和) | ナノメートルショットキーゲート / ゲートリーク電流 / 仮想ゲート |
| キーワード(英) | GaN / HFET / nanometer-scale Schottky gate / gate leakage current / virtual gate |
| 資料番号 | R2005-46,ED2005-181,SDM2005-200 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/11/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of Anomalous Gate Leakage Currents and Gate Control in AlGaN/GaN HFETs having Nanometer-Scale Schottky Gates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノメートルショットキーゲート / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ゲートリーク電流 / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | 仮想ゲート / nanometer-scale Schottky gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 葛西 誠也 / Seiya KASAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小谷 淳二 / Junji KOTANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki Hasegawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2005-11-25 |
| 資料番号 | R2005-46,ED2005-181,SDM2005-200 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 436 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |