| 講演名 | 2005-11-25 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般) 須田 将之, 中村 成志, 須原 理彦, 奥村 次徳, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | プラズマ照射によるn-GaNの電気特性への影響を評価した.水素プラズマ照射されたSi doped n-GaNにおいて, 低電圧付近での順・逆方向リーク電流の減少およびn-GaN中のドナー密度の減少が確認された.比較のため行ったアルゴンプラズマ照射においては, プラズマダメージによるダイオード特性の悪化やn-GaN中のドナー密度が減少することが確認された.これらの結果から, GaN表面においては表面欠陥が水素により不活性化され, 結晶内部においては水素ではなくプラズマ誘起欠陥がドナー不活性化に関与していると考えられる.しかしながら, 窒素プラズマ雰囲気においては同様の影響はほとんど確認されないことから, ドナー不活性化が窒素抜けに起因した真性点欠陥に関係していると考えられる. |
| 抄録(英) | We have studied the electrical characteristics of n-GaN exposed to plasma. In the case of hydrogen plasma, the decrease in the leakage current and the net donor concentration was clearly observed. In addition the decrease in the carriers was also observed in the n-GaN layer exposed to argon plasma, while the increase in leakage current was observed. Thus, these results indicate that the hydrogen atom passivates the defects in the subsurface region. On the other hand, any notable reduction was not observed in the case of nitrogen plasma treatment. Therefore, it is considered that the passivation of the Si donor was related to the intrinsic defects due to the deficiency of nitrogen. |
| キーワード(和) | 水素 / アルゴン / 窒素 / プラズマ / 不活性化 |
| キーワード(英) | n-GaN / hydrogen / argon / nitrogen / plasma / passivation |
| 資料番号 | R2005-45,ED2005-180,SDM2005-199 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/11/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characterization of n-GaN exposed to hydrogen plasma |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水素 / n-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | アルゴン / hydrogen |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素 / argon |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマ / nitrogen |
| キーワード(5)（和/英） | 不活性化 / plasma |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 須田 将之 / Masayuki SUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京都立大学工学研究科電気工学専攻 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 成志 / Seiji NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京都立大学工学研究科電気工学専攻:首都大学東京都市教養学部理工学系電気電子工学コース Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University:Division of Electrical and Electronic Engineering, School of Science and Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 須原 理彦 / Michihiko SUHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京都立大学工学研究科電気工学専攻:首都大学東京都市教養学部理工学系電気電子工学コース Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University:Division of Electrical and Electronic Engineering, School of Science and Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥村 次徳 / Tsugunori OKUMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京都立大学工学研究科電気工学専攻:首都大学東京都市教養学部理工学系電気電子工学コース Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University:Division of Electrical and Electronic Engineering, School of Science and Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 発表年月日 | 2005-11-25 |
| 資料番号 | R2005-45,ED2005-180,SDM2005-199 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 435 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |