| 講演名 | 2005-11-12 パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討(薄膜プロセス・材料, 一般) 星 陽一, 國芳 祐二, 神谷 攻, 清水 英彦, |
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| 抄録(和) | マグネトロンスパッタ源および対向ターゲット式スパッタ源を用いて、通常のユニポーラパルススパッタを行った場合の動作特性について調べるとともに、マグネトロンスパッタ源を対向ターゲット配置した場合のデュアルスパッタ動作特性、対向ターゲット式スパッタ源とマグネトロンスパッタ源を組み合わせたハイブリッドデュアルスパッタの動作特性について検討した。その結果、(1)パルススパッタでは、200mA/cm^2程度の極めて大きな電流密度でも、安定にスパッタできること。(2)マグネトロンスパッタ源と対向ターゲット式スパッタ源では、スイッチング後、プラズマが定常状態に達するまでの振る舞いに大きな違いがあること(3)デュアルスパッタでは、各ターゲット電極の電位が、アース電位に対して時間的に変化しており、その結果、プラズマの電位も1周期の間に大きな正の電位になったり負の電位に変わること、さらに通常のスパッタ法に比べて10Vから20V程度、正の電位となる傾向にある。その結果、プラズマ中の荷電粒子が大きなエネルギーで基板を衝撃することになり、このことが、スパッタ成膜中の基板温度上昇の原因となっていることが明らかになった。 |
| 抄録(英) | In this study, discharge characteristics in pulsed sputtering of magnetron sputtering(MS) source and facing target sputtering(FTS) source were investigated. Bipolar mode pulse MS sputtering with opposed target arrangement and hybrid dual sputtering with MS source and FTS source were also investigated. In the unipolar sputtering, the discharge starts when the negative pulse voltage was applied to the target cathode but it was found that the discharge current changes quite a different way in FTS compared with the way in MS. It was confirmed that opposed target arrangement is suitable for dual sputtering, and hybrid type dual sputtering with using both MS and FTS sources also works well. In dual sputtering, however, plasma potential changes from a large positive value to negative value, so that the electrons and ions in plasma can bombard the substrate. This may be the reason why the substrate heating during sputtering was more significant in the dual sputtering. |
| キーワード(和) | パルススパッタ / デュアルスパッタ / 対向ターゲット / マグネトロン / ハイブリッドスパッタ |
| キーワード(英) | Pulsed sputtering / Dual sputtering / Facing target sputtering / Magnetron sputtering / Hybrid sputtering |
| 資料番号 | CPM2005-168 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/11/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討(薄膜プロセス・材料, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of sputter-deposition process in pulse sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パルススパッタ / Pulsed sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | デュアルスパッタ / Dual sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | 対向ターゲット / Facing target sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | マグネトロン / Magnetron sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | ハイブリッドスパッタ / Hybrid sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Yoichi HOSHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 國芳 祐二 / Yuji KUNIYOSHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神谷 攻 / Osamu KAMIYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)キャノンコアテクノロジー開発本部 Material Processing Research Dept.3, Canon INC. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / Hidehiko SHIMIZU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 発表年月日 | 2005-11-12 |
| 資料番号 | CPM2005-168 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 394 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |