| 講演名 | 2005-11-12 AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般) 鄭 樹啓, 川島 将英, 森 雅之, 丹保 豊和, 龍山 智栄, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 我々は熱アニーリングによるSi/SiGeシステムにおける構造変形を原子間力顕微鏡(AFM)と高分解能x線回折(HRXRD)によって研究した。(004)ロッキングカーブ測定では, プレアニーリング試料から得たロッキングカーブの明確な振動が徐々にずれ、アニーリング温度を上げるにつれ完全に消えたことを示した。これはきれいなSi/SiGe界面が徐々に破壊されたことを示す。高分解能逆格子マップ(HRRSM)測定におけるSi基板に関してのピークの広がりとSiGeエピ層の相対位置の分析はSi/SiGeシステムでのモザイク構造の形成を明確に表した。AFM測定から内部変形はクロスハッチ構造として知られている表面の凹凸を誘起することを示した。 |
| 抄録(英) | We report the structural deformation in Si/SiGe system during thermal annealing investigated by means of atomic force microscope (AFM) and high-resolution x-ray diffraction (HRXRD). The (004) rocking curve measurements showed that the obvious fringes of rocking curve obtained from pre-annealing sample were faded out gradually and disappeared completely with increasing the annealing temperature, which indicated that the abrupt Si/SiGe interface was destroyed gradually. The analyses of the peak broadening and relative position of the SiGe epilayer with respect to the Si substrate in high-resolution reciprocal space map (HRRSM) measurements described clearly the formation of mosaic structure in Si/SiGe system. The inner deformation induced the surface corrugate, known as crosshatch morphologies, which was analyzed by AFM measurements. |
| キーワード(和) | 構造変形 / 熱アニーリング |
| キーワード(英) | Structural deformation / Si/SiGe / Thermal annealing / AFM / HRXRD |
| 資料番号 | CPM2005-167 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigations of the structural deformations in Si/SiGe films by AFM and HRXRD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 構造変形 / Structural deformation |
| キーワード(2)（和/英） | 熱アニーリング / Si/SiGe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鄭 樹啓 / Shuqi ZHENG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川島 将英 / M. KAWASHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 雅之 / M. MORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 丹保 豊和 / T. TAMBO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 龍山 智栄 / C. TATSUYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, Toyama University |
| 発表年月日 | 2005-11-12 |
| 資料番号 | CPM2005-167 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 394 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |