講演名 2005-11-12
3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 : 基板表面の窒化処理効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
澤崎 尚樹, 小林 隆弘, 趙 明秀, 橋本 明弘, 山本 皓勇, 伊藤 慶文,
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抄録(和) Si基板へのC^+イオン注入により作製した3c-SiC/Si基板上にMOVPE法を用いて成長させたGaN膜は凹凸の激しい表面になる。今回、その原因解明と対応策について検討した。凹凸形成の原因は、GaNバッファが島状成長し、GaNバッファが成長していないSiC表面からGaN膜が直接成長したためである。さらに、GaNバッファ成長前に基板表面の窒化処理を導入することにより、平坦なGaN成長膜を得ることができることを明らかにした。
抄録(英) When a MOVPE GaN film is grown on a 3c-SiC/Si template formed by C^+-ion implantation into Si, the surface of the grown film becomes very rough. The reason for the roughening the surface is clarified to be due to both the island growth of GaN buffer and the direct growth of the epitaxial film at portions of the SiC surface without buffer. It is found that a GaN film with a smooth surface, comparable to that for a film grown on sapphire, can be obtained by employing a nitridation process of the template just before the GaN buffer growth.
キーワード(和) 窒化処理
キーワード(英) GaN / SiC / Si / MOVPE / Nitridation
資料番号 CPM2005-165
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2005/11/5(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 : 基板表面の窒化処理効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) MOVPE growth of GaN on 3c-SiC/Si template : Nitridation effects of template surface
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 窒化処理 / GaN
第 1 著者 氏名(和/英) 澤崎 尚樹 / Naoki Sawazaki
第 1 著者 所属(和/英) 福井大学工学部
Department of Electrical and Electronics Eng., Faculty of Engineering, University of Fukui
第 2 著者 氏名(和/英) 小林 隆弘 / Takahiro Kobayashi
第 2 著者 所属(和/英) 福井大学工学部
Department of Electrical and Electronics Eng., Faculty of Engineering, University of Fukui
第 3 著者 氏名(和/英) 趙 明秀 / Myung Soo Cho
第 3 著者 所属(和/英) 福井大学工学部
Department of Electrical and Electronics Eng., Faculty of Engineering, University of Fukui
第 4 著者 氏名(和/英) 橋本 明弘 / Akihiro Hashimoto
第 4 著者 所属(和/英) 福井大学工学部
Department of Electrical and Electronics Eng., Faculty of Engineering, University of Fukui
第 5 著者 氏名(和/英) 山本 皓勇 / Akio Yamamoto
第 5 著者 所属(和/英) 福井大学工学部
Department of Electrical and Electronics Eng., Faculty of Engineering, University of Fukui
第 6 著者 氏名(和/英) 伊藤 慶文 / Yoshifumi Ito
第 6 著者 所属(和/英) (財)若狭湾エネルギー研究センター
The Wakasa Wan Energy research Center
発表年月日 2005-11-12
資料番号 CPM2005-165
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 394
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日