| 講演名 | 2005-11-12 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長(薄膜プロセス・材料, 一般) 趙 明秀, 小林 隆弘, 澤崎 尚樹, 橋本 明弘, 山本 皓勇, 伊藤 慶文, |
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| 抄録(和) | Si(111)基板へのC^+イオン注入により作製した3c-SiC/Si(111)構造基板上へMOVPE成長させたInN膜と同成長条件で行ったサファイア基板上InN膜を比較研究した。3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜のMOVPE成長において、GaNバッファ層成長の直前に3c-SiC/Si(111)構造基板の窒化処理(900℃、30分)を導入した結果、GaNバッファ層の島状成長は抑制され、結晶粒が小さい均一なGaNバッファ層が得られた。その結果、窒化処理を導入した3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜の表面モフォロジは、サファイア基板上膜表面と顕著な差がみられなかった。さらに、3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜の電気的・光学的特性もサファイア基板上膜とほぼ同等な品質のInN膜が得られた。このように、3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜のMOVPE成長において、基板の窒化処理を導入することにより高品質なInN膜が得られることがわかった。 |
| 抄録(英) | In this paper, We describe the comparison between MOVPE InN films grown on a 3c-SiC/Si(111) template formed by C^+-ion implantation into Si(111) and on a sapphire in the same run. The nitridation of 3c-SiC/Si(111) template at 900℃ for 30min is employed just before the GaN buffer growth. A GaN buffer grown on the nitrided template is uniform, whereas a GaN buffer layer on an un-nitrided template shows island growth. The surface morphology of InN films grown on the nitrided template is similar to that for a film grown on a sapphire substrate. Electrical and optical properties of the InN film grown on the nitrided 3c-SiC/Si(111) template are also comparable to those for an InN film grown on sapphire. Thus, the nitridation of 3c-SiC/Si(111) template is effective to obtain high-quality InN film. |
| キーワード(和) | C^+イオン注入 / 窒化処理 |
| キーワード(英) | InN / MOVPE / Si / C^+-ion implantation / SiC / nitridation |
| 資料番号 | CPM2005-164 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/11/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長(薄膜プロセス・材料, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-quality InN film on 3c-SiC/Si(111) templates by MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | C^+イオン注入 / InN |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化処理 / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 趙 明秀 / M. S. Cho |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering, University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 隆弘 / T. Kobayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering, University of Fukui |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 澤崎 尚樹 / N. Sawazaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering, University of Fukui |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋本 明弘 / A. Hashimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering, University of Fukui |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 皓勇 / A. Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering, University of Fukui |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊藤 慶文 / Y. Ito |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (財)若狭湾エネルギー研究センター Wakasa-wan Energy Research Center |
| 発表年月日 | 2005-11-12 |
| 資料番号 | CPM2005-164 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 394 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |