| 講演名 | 2005-11-12 ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN_<1-x>O_x薄膜によるH_2Sの光触媒分解効果(薄膜プロセス・材料, 一般) 宮西 正芳, 高橋 尚也, 小林 隆弘, 高山 勝己, 南保 幸男, 橋本 明弘, 山本 皓勇, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | ArFエキシマレーザ援用MOCVD法(La-MOCVD法)により低温(≲500℃)で形成したInN膜には酸素が混入し易く、成長膜はInNとIn_2O_3との混晶、InN_<1-x>O_x、になっていると考えられている。In_2O_3が光触媒活性を有することに着目し、InN_<1-x>O_x膜の光触媒活性を評価した。光触媒効果としてはH_2Sの分解特性を調べた。その結果、成長温度200℃以下のInN_<1-x>O_x膜が優れた光触媒活性を有することを初めて見出した。既存の光触媒材料であるTiO_2やIn_2O_3との比較を行った結果、InN_<1-x>O_x膜の分解効果の方が優れていることがわかった。 |
| 抄録(英) | An InN_<1-x>O_x, which is an alloy of InN with In_2O_3, is grown at a low (RT-500℃) temperature by the ArF excimer laser-assisted MOCVD (La-MOCVD) using TMI and NH_3. Photocatalytic activity of InN_<1-x>O_x film is experimentally studied for the first time. Decomposition rate of H_2S is evaluated as a photocatalytic activity of InN_<1-x>O_x film. We have found that films grown at a temperature in the range RT-200℃ have an excellent photocatalytic activity, which is better than those for the conventional In_2O_3 and TiO_2. |
| キーワード(和) | 窒化酸化インジウム / 光MOCVD / 光分解 / ArFエキシマレーザ / 光触媒 |
| キーワード(英) | InN_<1-x>O_x / MOCVD / ammonia / photolysis / ArF excimer Laser / H_2S / photocatalyst / NH_3 |
| 資料番号 | CPM2005-163 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN_<1-x>O_x薄膜によるH_2Sの光触媒分解効果(薄膜プロセス・材料, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photocatalytic H_2S decomposition by InN_<1-x>O_x films grown by ArF laser-assisted MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化酸化インジウム / InN_<1-x>O_x |
| キーワード(2)（和/英） | 光MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | 光分解 / ammonia |
| キーワード(4)（和/英） | ArFエキシマレーザ / photolysis |
| キーワード(5)（和/英） | 光触媒 / ArF excimer Laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮西 正芳 / Masayoshi MIYANISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 尚也 / Naoya TAKAHASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井工業高等専門学校 Fukui National College of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 隆弘 / Takahiro KOBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., University of Fukui |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高山 勝己 / Katsumi TAKAYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井工業高等専門学校 Fukui National College of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 南保 幸男 / Yukio NAMBO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日華化学(株) Nicca Chemical CO. LTD |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 橋本 明弘 / Akihiro HASHIMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., University of Fukui |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山本 皓勇 / Akio YAMAMOTO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., University of Fukui |
| 発表年月日 | 2005-11-12 |
| 資料番号 | CPM2005-163 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 394 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |