| 講演名 | 2005-11-12 MOVPE法によるバルクGaN基板上へのInN薄膜成長と評価(薄膜プロセス・材料, 一般) 王 文軍, 三輪 浩士, 永井 泰彦, 橋本 明弘, 山本 皓勇, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | バルクGaN基板上へのIn極性、N極性InN膜のMOVPE成長について検討した。Ga極性GaN基板上にはIn極性のInNが、N極性GaN基板上へはN極性InNが成長することを確認した。InN膜の表面モフォロジは極性によって顕著な違いがあった。In極性のInN膜は小さなファセットを持った凹凸のあるモフォロジを示した。一方、N極性のInN膜は表面が平坦で比較的大きな六角形グレインを持つ膜となった。また、In極性、N極性InN膜については、比較的良質の膜が得られる成長温度の上限にも差があり、上限成長温度はIn極性膜の方が高いことがわかった。これは、MOVPE成長中ではN極性InN膜が水素によって比較的低温で劣化するためであると考えられる。 |
| 抄録(英) | Single-crystalline In- and N-polarity InN films on bulk GaN substrate were successfully grown by MOVPE. The InN layers grown on Ga- and N-face GaN substrates have In- and N-polarity, respectively. Significant difference in the morphologies between the In- and N-polarity InN films was found. For the In-polarity InN film, the surface is consisted of grains with small facets. In contrast, for the N-polarity InN film, the surface is consisted of large hexagonal crystal grains with flat surface. Different stable growth temperature for N- and In-polarity InN growth by MOVPE was also found. The upper limit of the growth temperature for In-polarity InN is higher than that for an N-polarity film. The effect of hydrogen is supposed to be responsible for the unstable behavior of N-polarity InN in the MOVPE growth. |
| キーワード(和) | 極性 / バルクGaN |
| キーワード(英) | Polarity / Metalorganic vapor phase epitaxy / InN / Bulk GaN |
| 資料番号 | CPM2005-162 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | MOVPE法によるバルクGaN基板上へのInN薄膜成長と評価(薄膜プロセス・材料, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and Characterization of MOVPE InN Films on Bulk GaN Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極性 / Polarity |
| キーワード(2)（和/英） | バルクGaN / Metalorganic vapor phase epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 王 文軍 / Wen Jun Wang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学VBL VBL, University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三輪 浩士 / Hiroshi Miwa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Department of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永井 泰彦 / Yasuhiko Nagai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Department of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋本 明弘 / Akihiro Hashimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Department of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 皓勇 / Akio Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Department of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui |
| 発表年月日 | 2005-11-12 |
| 資料番号 | CPM2005-162 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 394 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |