| 講演名 | 2005-11-12 MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果(薄膜プロセス・材料, 一般) 永井 泰彦, 三輪 浩士, 橋本 明弘, 山本 皓勇, |
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| 抄録(和) | 常圧MOVPE成長InN膜におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果を検討した。エッチング時間の増加に伴ない、GaN結晶粒の数が減少し、その結果InN結晶粒の大きさが増大した。GaNバッファ層に10分間エッチングを施したとき、InN結晶粒の大きさはバッファ層を用いず成長させたInN結晶粒に比べ大きくなった。エッチング時間が5分以下のとき、InN結晶粒1つが平均して10個のGaNバッファの結晶粒から成長した。エッチング時間が8～10分のとき、InN結晶粒1つがGaN結晶粒1つから成長した。またサファイア基板上のIn原子やN原子などの拡散長は1μm以上あるとわかった。InNの結晶成長が促進したにもかかわらず、電気的特性はエッチングを施さなかったInN膜と同程度であった。 |
| 抄録(英) | The KOH etching effects of a GaN buffer in the MOVPE growth of InN on sapphire have been studied. With increasing etching time, the number of GaN grains is decreased and, as a result of that, the grain size of InN is markedly increased. The grain size of InN grown on the 10min-etched GaN buffer is larger than that of a film grown without GaN buffer. When the GaN etching time is less than 5min, one InN grain is grown on about ten GaN grains on average. For the etching time of 8-10min, under this condition one GaN grain acts as a nucleation center for one InN grain and no InN nucleation occurs in the areas without GaN grains on the sapphire substrate. The diffusion length of InN species on the sapphire substrate is estimated to be about 1μm or more. In spite of the enhanced grain growth of InN films grown on the etched buffers, their electrical properties are almost same as those grown without etching. |
| キーワード(和) | KOHエッチング |
| キーワード(英) | KOH / etching / MOVPE / InN |
| 資料番号 | CPM2005-161 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/11/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果(薄膜プロセス・材料, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | KOH etching effects of a GaN buffer in MOVPE growth of InN on sapphire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | KOHエッチング / KOH |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永井 泰彦 / Yasuhiko NAGAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., Fukui University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三輪 浩士 / Hiroshi MIWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., Fukui University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋本 明弘 / Akihiro HASHIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., Fukui University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 皓勇 / Akio YAMAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., Fukui University |
| 発表年月日 | 2005-11-12 |
| 資料番号 | CPM2005-161 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 394 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |