| 講演名 | 2005-11-17 Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般) 天清 宗山, 後藤 清毅, 志賀 俊彦, 戸塚 正裕, 佐々木 肇, 國井 徹郎, 山本 佳嗣, 井上 晃, 奥 友希, 石川 高英, |
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| 抄録(和) | ミリ波帯HPAの低コスト化に有効な非気密パッケージを実現するためには、チップの高耐湿化が必須である。今回我々はミリ波帯pHEMT構造の高耐湿化を検討した。高出力FETのゲートバリア金属として使用されるWSi及びWSiNは耐湿性が低く、また低誘電率膜等の厚膜積層はゲート容量の増大をもたらす。これらを解決するため、今回我々は耐腐食性に優れるTaを使用したTaN/Auゲート構造、および防湿性に優れたCat-CVD法積層SiNx表面保護膜を適用したトランジスタを開発し、構造変更による特性劣化なく高湿保存1000時間後のId低下率が10%以下という高い耐湿性を確認した。開発トランジスタのKa帯パワー特性を評価した結果、Psat=0.8W/mm, Glp=8.5dB, PAE=40%(Vd=8V)と非常に良好な性能を確認できた。 |
| 抄録(英) | A 0.8W/mm high power pHEMT with high humidity resistance is reported. By using tantalum nitride as the refractory gate metal and a silicon nitride layer prepared by a catalytic chemical vapor deposition technique for passivation of this transistor, tough moisture resistance was obtained showing less than 10% Id degradation even after 1000 hours at 130 degrees centigrade and 85% humidity. The structure modifications hardly affect transistor characteristics. A one-stage prematched amplifier with the new pHEMT has achieved 0.8W/mm output power at Vds=8V, with 8.5dB gain and 40% power added efficiency in the Ka-band. These are some of the highest power figures ever reported. |
| キーワード(和) | Ka帯HPA / 耐湿性 |
| キーワード(英) | Ka-band HPA / HEMT / Humidity resistance / TaN / Cat-CVD |
| 資料番号 | ED2005-166,MW2005-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2005/11/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A High Humidity Resistance and High Power Density TaN/Au T-gate pHEMT for Ka-band Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ka帯HPA / Ka-band HPA |
| キーワード(2)（和/英） | 耐湿性 / HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 天清 宗山 / Hirotaka AMASUGA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 後藤 清毅 / Seiki GOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 志賀 俊彦 / Toshihiko SHIGA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 戸塚 正裕 / Masahiro TOTSUKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々木 肇 / Hajime SASAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 國井 徹郎 / Tetsuo KUNII |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山本 佳嗣 / Yoshitsugu YAMAMOTO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 井上 晃 / Akira INOUE |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 奥 友希 / Tomoki OKU |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 石川 高英 / Takahide ISHIKAWA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 三菱電機高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Co. |
| 発表年月日 | 2005-11-17 |
| 資料番号 | ED2005-166,MW2005-121 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 401 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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