| 講演名 | 2005/10/6 Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 片山 義章, 石川 博康, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | 窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN系HEMT)は高周波、高速動作デバイスとして現在研究が盛んに行われている。GaNの成長基板としては現在Sapphireが主流であるが、それに取って代わる成長基板への要望も大きい。例えば、電子デバイスにおいては、既存の製造ラインに乗せることができる大口径基板への要望は強い。GaN系半導体のMOCVD成長では基板温度が1100℃近くにも達するため、成長基板としてその温度における成長雰囲気中で熱分解しないことが必要である。その点でSiは比較的良好な耐熱性を備え、また電子デバイスに重要な放熱性に優れ、安価で高品質大口径基板が容易に手に入る。本研究ではSapphireに対し様々な利点があるSiを成長基板として用い、特に放熱性についてSapphireと比較し検討を行った。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN HEMTs were fabricated on Si and Sapphire substrates inorder to study the thermal conductivity of the substrates. The HEMT devices fabricated on Silicon substrate show superior device characteristics than those on the Sapphire substrates. For example the Si substrate samples have high thermal conductivity, cheap manufacturing possible for large size substrates. Further it is easy to fabricate HEMT device and reduce the thickness of the Si substrate whereas thinning the Sapphire substrate is very difficult. This study was conducted with the primary aim of measuring the temperature dependent conductivity of the substrates namely silicon and Sapphire. |
| キーワード(和) | 熱伝導率 |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / Thermal conductivity / Si |
| 資料番号 | ED2005-131,CPM2005-118,LQE005-58 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/10/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of AlGaN/GaN HEMT on (111) Silicon Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱伝導率 / GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 片山 義章 / Yoshiaki KATAYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/10/6 |
| 資料番号 | ED2005-131,CPM2005-118,LQE005-58 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |