| 講演名 | 2005/10/6 RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 黒内 正仁, 高堂 真也, 直井 弘之, 荒木 努, 名西 惠之, |
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| 抄録(和) | InNはバンドギャップが約0.7eVであることから、高性能光通信波長帯レーザーダイオードへの応用が提案されている。レーザーダイオードの作製の上で、その活性層として量子井戸構造が重要となる。そこで本研究ではInN/InGaN量子井戸構造を(0001)サファイア基板上に成長したInNテンプレート上にRF-MBE法を用いて作製した。高In組成InGaNの結晶性はInNテンプレートを下地に導入することによって改善した。多重量子井戸構造について、X線回折で評価を行った結果、2次までのサテライトピークを確認した。InN/InGaN単一量子井戸をフォトルミネッセンスで評価した結果、発光ピークエネルギーは井戸幅を減らすにつれて高エネルギー側にシフトした。この発光ピークエネルギー依存性は量子サイズ効果、量子閉じこめシュタルク効果、バンドフィリング効果によるものであると思われる。 |
| 抄録(英) | InN and In-rich InGaN are considered to be promising materials for future device such as high-efficiency laser diodes for optical communications. Quantum well structures are essential for laser diodes. InN/InGaN quantum well structures have been successfully fabricated on InN templates grown on (0001) sapphire substrate by RF plasma assisted molecular beam epitaxy. The multiple quantum well structure was confirmed by observing the satellite peaks up to 2nd order of X-ray diffraction. PL peak emission from InN/InGaN single quantum well layers was observed at 77K, and the PL peak energy slightly decreased with increasing well width. This dependence can be expected by quantum size effect, quantum confinement Stark effect and band filling effect. |
| キーワード(和) | 量子井戸構造 / 高In組成InGaN / X線回折 / 光学的評価 |
| キーワード(英) | Quantum well structure / InN / In-rich InGaN / X-ray diffraction / optical property / RF-MBE |
| 資料番号 | ED2005-123,CPM2005-110,LQE005-50 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/10/6(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of InN/InGaN quantum well structures by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子井戸構造 / Quantum well structure |
| キーワード(2)（和/英） | 高In組成InGaN / InN |
| キーワード(3)（和/英） | X線回折 / In-rich InGaN |
| キーワード(4)（和/英） | 光学的評価 / X-ray diffraction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒内 正仁 / Masahito KUROUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Department of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高堂 真也 / Shinya TAKADO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Department of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 直井 弘之 / Hiroyuki NAOI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学COE推進機構 Center for Promotion of The 21st Century COE Program, Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu ARAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Department of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 名西 惠之 / Yasushi NANISHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Department of Photonics, Ritsumeikan University |
| 発表年月日 | 2005/10/6 |
| 資料番号 | ED2005-123,CPM2005-110,LQE005-50 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |