| 講演名 | 2005/10/6 RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 及川 武, 佐藤 威友, 長谷川 英機, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | 窒化物系量子細線ネットワーク構造の形成を目的とし、AlGaN/GaN細線構造のGaN(0001)加工基板上でのMBE選択成長を検討した。ECR-RIBEドライエッチングによりメサストライプ型とヘキサゴナルネットワーク型に加工した基板を初期基板として用いた。<1-100>方向と<11-20>方向に加工したメサストライプ型加工基板についてAl_<0.24>Ga_<0.76>Nを成長しテラス幅の変化を調べた結果、<11-20>方向で良好な選択性を示すことを見出した。試作した細線ネットワークはGaNバルク以外からも強いCL発光を示し、量子構造の形成を確認した。さらに細線断面形状の時間的発展やAl組成依存性について検討し、量子細線構造サイズや形状の制御性を明らかにした。 |
| 抄録(英) | For fabrication of AlGaN/GaN quantum wire network structures, we studied feasibility of selective MBE growth of AlGaN/GaN wire structures on pre-patterned GaN(0001) substrates. A mesa stripe type pattern and a hexagonal network type pattern were prepared by ECR-RIBE dry etching. As for the mesa direction, <1-100>-direction and <11-20>-direction were compared, and <11-20>-oriented mesa was found to be suitable for the selective growth of wire structures due to larger growth selectivity of GaN/AlGaN layers. Fabricated wire network structure showed strong CL emission, originating form wire structure. For the realization of precise size control of quantum wire structure, time evolution of cross-sectional features and Al composition dependence of the growth selectivity were investigated in detail. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN量子構造 / MBE選択成長 / 加工基板 / ECR-RIBEドライエッチング |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN quantum structure / selective MBE growth / patterned substrate / ECR-RIBE dry-etching |
| 資料番号 | ED2005-137,CPM2005-124,LQE005-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2005/10/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of AlGaN/GaN nano wire network using selective RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN量子構造 / AlGaN/GaN quantum structure |
| キーワード(2)（和/英） | MBE選択成長 / selective MBE growth |
| キーワード(3)（和/英） | 加工基板 / patterned substrate |
| キーワード(4)（和/英） | ECR-RIBEドライエッチング / ECR-RIBE dry-etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 及川 武 / Takeshi OIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2005/10/6 |
| 資料番号 | ED2005-137,CPM2005-124,LQE005-64 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |