| 講演名 | 2005/10/6 AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 山田 朋幸, 土屋 忠厳, 城川 潤二郎, 岩見 正之, 荒木 努, 鈴木 彰, 名西 惠之, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTのゲートリークについて調べた。Al組成比xの増加と共にリーク電流が増大した。それと共に表面モフォロジーも悪化しており、これらに相関があることが分かった。また、ノンドープAlGaN中のドナー濃度もxと共に増加したが、1×10^<18>cm^<-3>を大きく超えることは無く、AlGaN最表面の濃度は分からないが、これがゲートリークの主因とは考えにくい。局所高導電領域を考慮して逆方向特性のシミュレーションを行い、実験データにフィッティングさせることができた。 |
| 抄録(英) | We studied gate leakage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors. The gate leakage current increased with increasing Al mole fraction x from 0.25 to 0.36. AlGaN surface morphology deteriorated with increasing x. Donor density Nd of AlGaN film also increased to～1×10^<18>cm^<-3> with increasing x to 0.36. It is concluded that the rather low Nd may not influence the gate leakage. Reverse characteristics were reproduced by calculation taking into account localized region with high conductivity. |
| キーワード(和) | ゲート / リーク電流 |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / HEMT / Gate / Leakage Current |
| 資料番号 | ED2005-134,CPM2005-121,LQE005-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2005/10/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲート / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | リーク電流 / AlGaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 朋幸 / Tomoyuki YAMADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 R&D Association for Future Electron Devices c_o Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 土屋 忠厳 / Tadayoshi TSUCHIYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 R&D Association for Future Electron Devices c_o Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 城川 潤二郎 / Junjiroh KIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 R&D Association for Future Electron Devices c_o Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩見 正之 / Masayuki IWAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会 R&D Association for Future Electron Devices c_o Ritsumeikan University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu ARAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 立命館大学 Ritsumeikan University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 鈴木 彰 / Akira SUZUKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (財)新機能素子研究開発協会:立命館大学 R&D Association for Future Electron Devices c_o Ritsumeikan University:Ritsumeikan University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 名西 惠之 / Yasushi NANISHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 立命館大学 Ritsumeikan University |
| 発表年月日 | 2005/10/6 |
| 資料番号 | ED2005-134,CPM2005-121,LQE005-61 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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