| 講演名 | 2005/10/6 CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 永井 泰彦, 三輪 浩士, 丹羽 弘和, 橋本 明弘, 山本 皓勇, |
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| 抄録(和) | bis-cyclopentadienylmagnesium (CP_2Mg)をMg源としてMOVPE成長InNへのMgドーピングを初めて検討した。その結果、CP_2Mgの添加によってInNの結晶粒が小さくなるなどInNの結晶成長が影響を受けていることがわかった。さらに、CP_2Mg/TMI=0.03～0.3の範囲でMgを添加したInN膜はすべてn型伝導を示した。キャリア(電子)濃度がCP_2Mg供給量の増大とともに増加し、PLピークエネルギーも高エネルギー側にシフトした。このような現象の原因を明らかにするために、成長膜のSIMS分析を行った。その結果、Mg濃度はCP_2Mg添加量に比例して増加しているが、同時に、膜中のC、Hの量がMg量にほぼ比例して増加していることが明らかとなった。このことからInN中に取り込まれたC、Hがドナとして働いている可能性がある。InNの成長温度を高くすることでMgドープInN膜のキャリア(電子)濃度が低下することがわかった。 |
| 抄録(英) | The first experimental study has been made on the Mg doping of MOVPE InN using biscyclopentadienylmagnesium (CP_2Mg). The grain size of grown InN is markedly decreased by adding CP_2Mg to the source gas flow. All samples grown with a CP_2Mg flow rate in the range 0.03-0.3 show n-type conductivity and, moreover, their carrier concentration is increased with increasing CP_2Mg flow rate. The PL peak energy is also shifted to a higher energy side with increasing CP_2Mg flow rate. The SIMS analysis reveals that the carbon and hydrogen are dominant impurities in grown InN and their concentrations are increased in proportion to the carrier concentration and CP_2Mg flow rate. These results strongly suggest that C and/or H incorporated can act as a donor in InN. The carrier concentration is found to be decreased with increasing the growth temperature of InN. |
| キーワード(和) | C汚染 |
| キーワード(英) | InN / MOVPE / CP_2Mg / Mg doping / SIMS / C contamination |
| 資料番号 | ED2005-125,CPM2005-112,LQE005-52 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2005/10/6(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mg doping of MOVPE InN using CP_2Mg |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | C汚染 / InN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永井 泰彦 / Yasuhiko NAGAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., Fukui University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三輪 浩士 / Hiroshi MIWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., Fukui University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 丹羽 弘和 / Hirokazu NIWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., Fukui University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋本 明弘 / Akihiro HASHIMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., Fukui University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 皓勇 / Akio YAMAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Eng., Fukui University |
| 発表年月日 | 2005/10/6 |
| 資料番号 | ED2005-125,CPM2005-112,LQE005-52 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |