| 講演名 | 2005/10/6 RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 大橋 達男, 石沢 峻介, / 菊池 昭彦, 岸野 克巳, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 窒化物半導体であるInNの高品質化が進み、近年InNのバンドギャップが0.65～0.8eV程度であることが報告され、光通信波長帯デバイス材料への応用が検討され始めている。我々は、InN系窒化物半導体を光通信デバイスに応用する可能性を検証するため、高In組成InGaNダブルへテロ構造について報告してきた。本研究ではRFプラズマで励起した窒素ガスを原料とする分子線エピタキシー(RF-MBE)法を用いてサファイア基板上にInN井戸層厚を変化させたInN/InGaN多重量子井戸構造(MQW)を成長し、結晶性、光学特性について評価を行った。X線回折測定(XRD)、透過型電子顕微鏡測定(TEM)から良好な周期構造の成長を確認した。また室温において明瞭なホトルミネッセンス(PL)発光が確認され、発光波長の理論解析から大きなピエゾ電界の存在が示唆された。 |
| 抄録(英) | Recently, the fundamental bandgap of InN was reported to be 0.65-0.8eV due to the improvement of crystal quality of InN filmes. Therfore InN will be a new material for the optical communication devices. In this study, InN/In_<0.75>Ga_<0.25>N multiple quantum wells (MQWs) were fabricated by rf plasma assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). From the high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM) measurement, smooth and sharp hetero-interface with one-two monolayer interface thickness fractuation was observed. Clear satellite peaks up to the fifth order were observed in high resolution ω-2θ scan XRD spectra. Room temperature photoluminescence emission at from 1.58 to 1.97 corresponds to the InN well width change was observed for the first time. The PL peak wavelengths were longer than calculated transition wavelengths using a square potential model. It can be explained that large piezoelectric field exist in the InN well layers. |
| キーワード(和) | 分子線エピタキシー / 多重量子井戸構造 |
| キーワード(英) | InN / InGaN / Molecular Beam Epitaxy / multiple quantum well |
| 資料番号 | ED2005-122,CPM2005-109,LQE005-49 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/10/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and Characterization of InN/InGaN multiple quantum wells by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 分子線エピタキシー / InN |
| キーワード(2)（和/英） | 多重量子井戸構造 / InGaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大橋 達男 / Tatsuo OHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石沢 峻介 / Shunsuke ISHIZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 菊池 昭彦 / Petter Holmstrom |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Akihiko KIKUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 発表年月日 | 2005/10/6 |
| 資料番号 | ED2005-122,CPM2005-109,LQE005-49 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |