講演名 2005-10-14
ジョセフソン磁束量子フロートランジスタの交流特性(エレクトロニクス)
堂田 泰史, 川山 巌, 村上 博成, 斗内 政吉,
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抄録(和) バイクリスタルMgO(001)基板上に作製されたYBCO薄膜を用いて、ジョセフソン磁束量子フロートランジスタ(JVFT)を作製した。接合に磁気結合するコントロールラインに直流および交流電流を入力し、その応答を測定した。交流測定では、1MHzの正弦波と250KHzのパルス波の入力信号に対するJVFTの高周波応答を評価した。直流測定では臨界電流とフロー電圧の変調を観測し、その結果から相互インダクタンス、自己インダクタンスなどを見積もり、これらのパラメータから動作周波数の上限を見積もった。直流および交流応答の結果からSFQ論理回路用高速インターフェースとしての可能性を検討した。
抄録(英) We have fabricated Josephson Vortex Flow Transistors (JVFTs) with the Josephson junctions that were prepared using YBa_2Cu_3O_<7-δ> (YBCO) thin films grown on bi-crystal MgO(100) substrates. We measured the responses with the DC and AC current input to the control line that was inductively coupled to the array of the junctions. In AC measurements, we observed the high frequency responses of the JVFT to the input current of sine wave or square pulse wave. In the DC measurements, we observed the modulations of the critical current and the flow voltage. From the results, we estimated the parameters of the device, e. g. the mutual inductance and the self inductance, and calculated the upper of the operation frequency that the device potentially possessed these parameters. We also discuss the feasibility of higher frequency operation to embed it in single flux quantum (SFQ) logic circuit from the results of DC and AC responses.
キーワード(和) ジョセフソン磁束量子フロートランジスタ / 高周波動作
キーワード(英) Josephson vortex flow transistor / high frequency operation
資料番号 SCE2005-21
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 2005/10/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ジョセフソン磁束量子フロートランジスタの交流特性(エレクトロニクス)
サブタイトル(和)
タイトル(英) AC characteristics of Josephson vortex flow transistors
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ジョセフソン磁束量子フロートランジスタ / Josephson vortex flow transistor
キーワード(2)(和/英) 高周波動作 / high frequency operation
第 1 著者 氏名(和/英) 堂田 泰史 / Yasushi DODA
第 1 著者 所属(和/英) 大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
Institute of Laser Engineering, Osaka University:CREST-JST
第 2 著者 氏名(和/英) 川山 巌 / Iwao KAWAYAMA
第 2 著者 所属(和/英) 大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
Institute of Laser Engineering, Osaka University:CREST-JST
第 3 著者 氏名(和/英) 村上 博成 / Hironaru MURAKAMI
第 3 著者 所属(和/英) 大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
Institute of Laser Engineering, Osaka University
第 4 著者 氏名(和/英) 斗内 政吉 / Masayoshi TONOUCHI
第 4 著者 所属(和/英) 大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
Institute of Laser Engineering, Osaka University:CREST-JST
発表年月日 2005-10-14
資料番号 SCE2005-21
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 334
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日