| 講演名 | 2005/10/7 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 池永 和正, 生方 映徳, 山口 晃, 阿久津 仲男, 藤居 勤二, 松本 功, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | InGaN量子井戸におけるIn偏析の制御は高発光効率の実現に重要と思われる。水平型大型炉ではウェハサセプタの上下流端での原料濃度やV/III比等の成長パラメータに大きな分布が生じる場合があるのでIn偏析の程度に合わせて高い均一性を実現するためにはIn偏析のような物理現象と成長パラメータの関係を調査することが大変重要である。本研究では、井戸層におけるIn表面偏析の比較的大きい(InGaN/GaN)量子井戸構造を用いて、励起強度の異なるフォトルミネセンス(PL)測定によりプロセス条件に対するブルーシフト量の変化を調査した。表面偏析の大きくなるような成長条件では、薄い井戸層を採用して表面偏析が抑制されることによりPL発光効率が改善され、同時に均一性も得られる。さらにバリア層に水素を添加することにより界面の急峻性を改善した。 |
| 抄録(英) | It is supposed that controlling the degree of In segregation in InGaN quantum well is important to realize a high quantum efficiency. It is necessary to study the relationship between growth conditions and In segregation in light of realizing high quantum efficiency and a uniform wavelength at the same time, because a large distribution of growth conditions in a large scale horizontal reactor sometimes happen because of source gas consumption or variation of effective V/III ratio. In this work, we have studied variation of the photoluminescence blue shift of InGaN/GaN quantum wells as a function of excitation power. The samples were prepared under the condition to have a relatively large In segregation. It is shown that thin quantum well structure with a small surface In segregation was desirable for improving PL efficiency as well as the uniformity. It is also shown that the interface abruptness of quantum wells was improved by adding hydrogen gas during the growth of barrier layers. |
| キーワード(和) | InGaN/GaN量子井戸構造 / In偏析 / 局在準位 |
| キーワード(英) | MOCVD / InGaN/GaN quantum well structure / In surface segregation / local state |
| 資料番号 | ED2005-156,CPM2005-143,LQE005-83 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/10/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | PL characterization of In surface segregation in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures using MOCVD reactor (2"×6 wafers) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN/GaN量子井戸構造 / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | In偏析 / InGaN/GaN quantum well structure |
| キーワード(3)（和/英） | 局在準位 / In surface segregation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 池永 和正 / Kazutada IKENAGA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社化合物事業部 Compound Semiconductor Equipment Division, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 生方 映徳 / Akinori UBUKATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社化合物事業部 Compound Semiconductor Equipment Division, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 晃 / Akira YAMAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社化合物事業部 Compound Semiconductor Equipment Division, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 阿久津 仲男 / Nakao AKUTSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社化合物事業部 Compound Semiconductor Equipment Division, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤居 勤二 / Kinji FUJII |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社化合物事業部 Compound Semiconductor Equipment Division, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松本 功 / Kou MATSUMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社化合物事業部 Compound Semiconductor Equipment Division, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 発表年月日 | 2005/10/7 |
| 資料番号 | ED2005-156,CPM2005-143,LQE005-83 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 326 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |