講演名 | 2005/10/7 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 狩野 隆司, 野村 康彦, 畑 雅幸, 井上 大二朗, 庄野 昌幸, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | 青紫色レーザを光源とする次世代DVDシステムの高速記録化・多層記録化の検討が進展している。これらのシステムを実現するために、青紫色レーザの高出力化が強く要請されている。今回、発光領域への光閉じ込め、端面反射率および共振器長等の最適化を図ることにより、電流-光出力特性として、光出力250mW(室温、パルス発振)以上のキンクフリーの特性を得た。また、光出力160mW(70℃、パルス駆動)において500時間以上安定に動作することを確認した。さらに、実用上必要とされるノイズレベルを満足する-130dB/Hz以下(5mW動作時)の低ノイズ特性を達成した。 |
抄録(英) | Next-generation optical disc systems using blue-violet laser diodes, further increases in their recording capacity and speed are required. In order to achieve these increases, a high-power blue-violet laser diode is indispensable. We have fabricated blue-violet laser diodes with high-power characteristic on GaN substrates. By optimizing the optical confinement in the device, the reflectivity of the facets and the cavity length, a kink level higher than 250mW has been achieved. These laser diodes have been operating reliably for more than 500h with a light output power of 160mW at 70℃ under pulsed operation. We have also confirmed that these laser diodes have a noise level as low as -130dB/Hz, which meets the requirement for practical use, for a light output power of 5mW. |
キーワード(和) | 半導体レーザ / 窒化ガリウム系半導体 / 高出力 / キンクレベル / 遠視野像 |
キーワード(英) | laser diode / GaN-based semiconductor / high power / kink level / far field pattern |
資料番号 | ED2005-151,CPM2005-138,LQE005-78 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
---|---|
開催期間 | 2005/10/7(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High-Power Blue-Violet Laser Diodes for Optical Disc Systems |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 半導体レーザ / laser diode |
キーワード(2)(和/英) | 窒化ガリウム系半導体 / GaN-based semiconductor |
キーワード(3)(和/英) | 高出力 / high power |
キーワード(4)(和/英) | キンクレベル / kink level |
キーワード(5)(和/英) | 遠視野像 / far field pattern |
第 1 著者 氏名(和/英) | 狩野 隆司 / Takashi KANO |
第 1 著者 所属(和/英) | 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所 Frontier Devices Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 野村 康彦 / Yasuhiko NOMURA |
第 2 著者 所属(和/英) | 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所 Frontier Devices Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 畑 雅幸 / Masayuki HATA |
第 3 著者 所属(和/英) | 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所 Frontier Devices Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 井上 大二朗 / Daijiro INOUE |
第 4 著者 所属(和/英) | 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所 Frontier Devices Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 庄野 昌幸 / Masayuki SHONO |
第 5 著者 所属(和/英) | 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所 Frontier Devices Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
発表年月日 | 2005/10/7 |
資料番号 | ED2005-151,CPM2005-138,LQE005-78 |
巻番号(vol) | vol.105 |
号番号(no) | 330 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |