講演名 2005/10/7
光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
狩野 隆司, 野村 康彦, 畑 雅幸, 井上 大二朗, 庄野 昌幸,
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抄録(和) 青紫色レーザを光源とする次世代DVDシステムの高速記録化・多層記録化の検討が進展している。これらのシステムを実現するために、青紫色レーザの高出力化が強く要請されている。今回、発光領域への光閉じ込め、端面反射率および共振器長等の最適化を図ることにより、電流-光出力特性として、光出力250mW(室温、パルス発振)以上のキンクフリーの特性を得た。また、光出力160mW(70℃、パルス駆動)において500時間以上安定に動作することを確認した。さらに、実用上必要とされるノイズレベルを満足する-130dB/Hz以下(5mW動作時)の低ノイズ特性を達成した。
抄録(英) Next-generation optical disc systems using blue-violet laser diodes, further increases in their recording capacity and speed are required. In order to achieve these increases, a high-power blue-violet laser diode is indispensable. We have fabricated blue-violet laser diodes with high-power characteristic on GaN substrates. By optimizing the optical confinement in the device, the reflectivity of the facets and the cavity length, a kink level higher than 250mW has been achieved. These laser diodes have been operating reliably for more than 500h with a light output power of 160mW at 70℃ under pulsed operation. We have also confirmed that these laser diodes have a noise level as low as -130dB/Hz, which meets the requirement for practical use, for a light output power of 5mW.
キーワード(和) 半導体レーザ / 窒化ガリウム系半導体 / 高出力 / キンクレベル / 遠視野像
キーワード(英) laser diode / GaN-based semiconductor / high power / kink level / far field pattern
資料番号 ED2005-151,CPM2005-138,LQE005-78
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2005/10/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
サブタイトル(和)
タイトル(英) High-Power Blue-Violet Laser Diodes for Optical Disc Systems
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 半導体レーザ / laser diode
キーワード(2)(和/英) 窒化ガリウム系半導体 / GaN-based semiconductor
キーワード(3)(和/英) 高出力 / high power
キーワード(4)(和/英) キンクレベル / kink level
キーワード(5)(和/英) 遠視野像 / far field pattern
第 1 著者 氏名(和/英) 狩野 隆司 / Takashi KANO
第 1 著者 所属(和/英) 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
Frontier Devices Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 野村 康彦 / Yasuhiko NOMURA
第 2 著者 所属(和/英) 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
Frontier Devices Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 畑 雅幸 / Masayuki HATA
第 3 著者 所属(和/英) 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
Frontier Devices Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 井上 大二朗 / Daijiro INOUE
第 4 著者 所属(和/英) 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
Frontier Devices Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 庄野 昌幸 / Masayuki SHONO
第 5 著者 所属(和/英) 三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
Frontier Devices Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
発表年月日 2005/10/7
資料番号 ED2005-151,CPM2005-138,LQE005-78
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 330
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
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